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公开(公告)号：CN1628080A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02810997.X
申请日：2002-05-02
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: G02B6/02009 , C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/36 , C03B2203/22 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C23/0095 , C03C25/104 , C03C25/1065 , C03C25/608 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/3417 , C03C2201/3476 , C03C2201/36 , C03C2203/52 , G02B6/02285 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/0365 , G02B6/03655 , G02B6/03694 , G02B6/2551 , H01S3/06708 , H01S3/06716 , H01S3/06729 , H01S3/06754
Abstract: 一种光学产品，它包括纤芯，至少一层包层薄层，和在纤芯和包层之间的窄的氟储存器。该储存器具有的氟浓度不是比包层薄层的氟浓度高就是比纤芯的氟浓度高。一种特殊的实施例包括纤芯，它包括掺卤素元素的硅酸盐玻璃，该玻璃大约包括按阳离子加卤素元素摩尔百分比计的下列化合物：0.25－5mos％的Al2O3，0.05－1.5mo％的La2O3，0.0005－0.75mol％的Er2O3，0.5－6mol％的F，0－1mol％的Cl。
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公开(公告)号：CN100480205C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03825195.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: C23C30/00 , C03C17/007 , C03C17/25 , C03C17/256 , C03C2217/212 , C03C2217/213 , C03C2217/45 , C03C2217/477 , C03C2217/478 , C03C2218/113 , C08L71/02 , C23C26/00
Abstract: 本发明提供一种表面活性剂介导的亲水金属氧化物膜以及在一个或多个表面上具有本发明亲水膜的制件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1708461A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02826394.4
申请日：2002-12-03
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: H01S3/067 , C03B19/102 , C03B19/1065 , C03B37/01807 , C03B37/01838 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/36 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/3417 , C03C2201/3458 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/36 , H01S3/0672 , H01S3/0677 , H01S3/06775 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , Y02P40/57
Abstract: 制备光纤的方法和所得制品。所述方法包括如下步骤：提供底管；在管内沉积高纯氧化硅包层；沉积包含氧化硅和Al、La、Er和Tm氧化物但不含锗的玻璃芯体；去掉底管形成预制品；将预制品拉成光纤。本发明不含锗的共掺杂硅酸盐光学波导包括含氧化硅及铝、镧、铒和铥的氧化物的芯体，其中Er浓度为15－3000ppm；Al浓度为0.5－15mol％；La浓度小于或等于0.5－2mol％；Tm浓度为150－10000ppm。在一个具体实施方式中，Al浓度为4－10mol％；Tm浓度为150－3000ppm。芯体还可包含F。在一个示例性实施方式中，F浓度小于或等于6mol％(阴离子)。波导可以是光纤、成形光纤或导光波导。本发明的放大器可包括所述光纤。
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公开(公告)号：CN1694851A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03825195.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: C23C30/00 , C03C17/007 , C03C17/25 , C03C17/256 , C03C2217/212 , C03C2217/213 , C03C2217/45 , C03C2217/477 , C03C2217/478 , C03C2218/113 , C08L71/02 , C23C26/00
Abstract: 本发明提供一种表面活性剂介导的亲水金属氧化物膜以及在一个或多个表面上具有本发明亲水膜的制件。
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公开(公告)号：CN1610650A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826445.2
申请日：2002-11-07
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: C03C13/04 , C03B19/10 , C03B37/018 , C03B19/14 , H01S3/17
CPC classification number: C03C17/3618 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/31 , C03C2201/3405 , C03C2201/3411 , C03C2201/3417 , C03C2201/3458 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3494 , C03C2201/36 , H01S3/06716 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , H01S3/1693 , H01S3/1695 , H01S3/176
Abstract: 光波导，包括含有二氧化硅、Al、非荧光稀土离子、Ge、Er和Tm的芯体。所述非荧光稀土离子可以是La。示例性组合物浓度如下：Er为15－3000ppm，Al为0.5－12摩尔％，La小于或等于2摩尔％，Tm是15－10000ppm，Ge小于或等于15摩尔％。所述芯体还包含F。F的示例性浓度小于或等于6阴离子摩尔％。
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公开(公告)号：CN1537083A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02810811.6
申请日：2002-05-14
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: G02B6/03694 , C03B37/01807 , C03B37/01853 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/28 , C03B2201/36 , C03C13/046 , C03C23/0095 , C03C25/608 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/3417 , C03C2201/3476 , C03C2201/36 , C03C2203/52 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/0365 , G02B6/03655 , H01S3/06716 , H01S3/173
Abstract: 一种光学产品，它包括纤芯，至少一层包层薄层，和在纤芯和包层之间的窄的氟储存器。该储存器具有的氟浓度不是比包层薄层的氟浓度高就是比纤芯的氟浓度高。一种特殊的实施例包括纤芯，它包括掺卤素元素的硅酸盐玻璃，该玻璃大约包括按阳离子加卤素元素摩尔百分比计的下列化合物：0.25－5mos％的Al2O3，0.05－1.5mo％的La2O3，0.0005－0.75mol％的Er2O3，0.5－6mol％的F，0－1mol％的Cl。
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公开(公告)号：CN1526080A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02811133.8
申请日：2002-05-29
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: G02B6/255
CPC classification number: G02B6/03655 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/36 , C03B2203/22 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C23/0095 , C03C25/104 , C03C25/1065 , C03C25/608 , G02B6/02285 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/0365 , G02B6/03694 , G02B6/2551 , H01S3/06708 , H01S3/06716 , H01S3/06729 , H01S3/06754
Abstract: 一种熔接包括一个具有一个第一MFD和一个第一MFD热扩大率的第一光纤。该熔接进一步包括一个具有一个第二MFD和一个第二MFD热扩大率的第二光纤(100)，其中第二MFD小于第一MFD。第二光纤包括一个光纤芯(110)，一个径向包围光纤芯的包覆层(130)和一个在光纤芯和包覆层之间的高浓度的氟圈(120)。在熔接操作期间，第一光纤的MFD扩大率小于第二光纤的MFD扩大率。
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