公开(公告)号：CN105190339B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201480016352.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 浜松光电株式会社

Inventor： 望月信助

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  H01F7/0278 ,  H01F7/0294 ,  H01F13/003

Abstract: 磁性体检测装置具备长条状的磁铁(12、13)及强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)。磁铁(12、13)分别在Y轴方向上平行地延伸设置，且在Z轴方向上以互相相反的方向磁化。强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)在磁铁(12、13)间的磁力线路径内配置的基板(22)的平面上具有大致沿Y轴方向延伸的线状部分，相对于与基板(22)的平面内的Y轴方向垂直相交的方向的磁场的变化使电阻值发生变化。通过磁铁(12、13)，对强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)施加偏置磁场，所述偏置磁场具有比强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)的饱和磁场的强度更小的磁场强度且位于与基板(22)的平面内的Y轴方向垂直相交的方向上。

公开(公告)号：CN101901666A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010176862.1

申请日：2010-05-07

Applicant: PII有限公司

Inventor： P·A·蒙德尔

IPC: H01F13/00 ,  F17D5/02 ,  G01N27/82

CPC classification number: H01F7/0294 ,  G01N27/82 ,  H01F13/00

Abstract: 本发明涉及磁化组件。具体而言，提供了一种用于管道检查工具的磁化装置(20，40，50)。该磁化装置包括铁磁性基部部件(21，51)、安装在基部部件上的在空间上分离的位置处的一对驱动磁体(22，52)，以及邻近一个或两个驱动磁体而安装在基部部件上的通量增强磁体(27，37，47，57)。该对驱动磁体的磁化方向分别朝向和远离基部部件在彼此相对的方向上延伸用以形成磁回路，该磁回路包括穿过基部部件的位于驱动磁体之间的通量路径。通量增强磁体具有与通量路径上的磁通量的方向大致对准的磁化方向，通量增强磁体磁耦合到相邻的驱动磁体，用以驱动围绕磁回路的通量并从而增强由磁化装置外的磁回路所呈现的磁场的量度。

公开(公告)号：CN106405455A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610609426.6

申请日：2016-07-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U.奥瑟莱希纳 ,  F.海因里克斯 ,  H.科克 ,  T.维尔特

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01D5/147 ,  H01F7/0294 ,  G01R33/095

Abstract: 本发明涉及磁场传感器。磁场传感器的实施例包括磁场传感器布置和磁性体，其例如具有相对于延伸通过磁性体的横截面的非凸横截区域，该磁性体具有非均匀磁化。

公开(公告)号：CN103376424B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310144309.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗茨·史蒂格雷尔 ,  克劳斯·伊利安 ,  米歇尔·韦伯

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/09 ,  G01R33/07

CPC classification number: H01F7/0294 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/09 ,  Y10T29/4902

Abstract: 本发明提供一种偏置场产生装置、传感器模块及其制造方法。偏置场产生装置包括偏置场产生器，偏置场产生器可以提供用于磁性传感器的磁性偏置场。偏置场产生器包括具有磁性材料或者可磁化材料的本体。本体中形成有凹部。凹部适于磁性传感器的封装。

公开(公告)号：CN104395736B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380034882.7

申请日：2013-06-20

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： R·M·L·范利斯豪特 ,  J·B·A·D·范佐恩 ,  T·H·埃弗斯

IPC: G01N21/552

CPC classification number: H01F7/0294 ,  G01N21/55 ,  G01N21/552 ,  G01N2201/061 ,  H01F7/206 ,  H01F2007/208

Abstract: 本发明涉及一种用于对磁性粒子(MP)进行处理的装置(100)和方法，所述磁性粒子(MP)被提供在具有结合区域(116)的处理室(114)中，所述磁性粒子(MP)能够(特异性地)结合至所述结合区域(116)。对未结合的磁性粒子(MP)从所述结合区域(116)的移除通过首先通过重力将其从所述结合区域(116)分离并且之后通过磁力将其进一步地移动远离来实现。重力能够例如通过利用倾斜单元(156)倾斜所述结合区域(116)来生成。通过重力的先前分离防止在具有结合的磁性粒子的团簇中捕获未结合的磁性粒子(MP)。

公开(公告)号：CN107346696A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201710310141.7

申请日：2017-05-04

Applicant: 法雷奥电机控制系统公司

Inventor： S.盖尔巴维 ,  D.梅兰德

IPC: H01F7/02 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01D5/145 ,  G01D5/24438 ,  H02K11/215 ,  H01F7/021 ,  G01D5/142 ,  H01F7/0294

Abstract: 本发明涉及一种配置为相对于旋转部件(108)安装的磁性部件(120)，磁性部件(120)包括：具有预期与部件的旋转轴线对准的轴线(Δ)的非磁性主体(102)；四个第一磁体(104P、104N)，其容纳在主体(102)中并形成正和负磁体的交替，磁体是由主体(102)保持在一起的独立元件并且围绕主体(102)的轴线(Δ)以90°的角度相继地定位；四个第二磁体(105P、105N)，其容纳在主体(102)中并且定位在两个相继的第一磁体之间的相应的角度间隔中，第一磁体的剩余感应和第二磁体的剩余感应之间的比率在0.3至0.5的范围内。

公开(公告)号：CN104722255B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201510120034.9

申请日：2015-03-18

Applicant: 江南大学

Inventor： 徐学明 ,  杨哪 ,  金亚美 ,  吴凤凤 ,  金征宇

IPC: B01J19/12 ,  H01F1/057 ,  C12M1/00

CPC classification number: B01J19/087 ,  B01D11/0419 ,  B01J2219/0801 ,  B01J2219/0854 ,  B01J2219/0871 ,  C12M21/18 ,  C12M29/18 ,  C12M35/02 ,  C12M35/06 ,  C12N13/00 ,  C12P7/58 ,  C12P7/62 ,  C12P19/02 ,  C12P19/04 ,  H01F7/0205 ,  H01F7/0294 ,  H01F7/064 ,  H01F27/2823 ,  H02P31/00

Abstract: 本发明公开了一种感应式磁电生化反应系统，包括：反应单元，包括：反应腔体，所述反应腔体包括反应物容器，且所述反应腔体被置于一可旋转的径向磁场内；初级线圈，绕制于一闭合铁芯一侧，并与一控制单元连接；次级线圈，绕制于所述闭合铁芯另一侧，所述次级线圈包括可供作为导体的反应溶液流通的绝缘管路(例如玻璃弹簧)，且所述绝缘管路的两端与所述反应物容器连通；旋转磁场单元，用于产生所述可旋转的径向磁场；以及控制单元，至少用以调整施加在所述初级线圈上的激励电压和信号类型。本发明生化反应系统的应用领域包括：天然高分子原料的辅助酸水解、酶水解和改性、天然产物的辅助萃取、诱导并影响生化反应。

公开(公告)号：CN105190339A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480016352.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 浜松光电株式会社

Inventor： 望月信助

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  H01F7/0278 ,  H01F7/0294 ,  H01F13/003

Abstract: 磁性体检测装置具备长条状的磁铁(12、13)及强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)。磁铁(12、13)分别在Y轴方向上平行地延伸设置，且在Z轴方向上以互相相反的方向磁化。强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)在磁铁(12、13)间的磁力线路径内配置的基板(22)的平面上具有大致沿Y轴方向延伸的线状部分，相对于与基板(22)的平面内的Y轴方向垂直相交的方向的磁场的变化使电阻值发生变化。通过磁铁(12、13)，对强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)施加偏置磁场，所述偏置磁场具有比强磁性体薄膜磁电阻元件(23、24)的饱和磁场的强度更小的磁场强度且位于与基板(22)的平面内的Y轴方向垂直相交的方向上。

公开(公告)号：CN103376424A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310144309.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗茨·史蒂格雷尔 ,  克劳斯·伊利安 ,  米歇尔·韦伯

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/09 ,  G01R33/07

CPC classification number: H01F7/0294 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/09 ,  Y10T29/4902

Abstract: 本发明提供一种偏置场产生装置、传感器模块及其制造方法。偏置场产生装置包括偏置场产生器，偏置场产生器可以提供用于磁性传感器的磁性偏置场。偏置场产生器包括具有磁性材料或者可磁化材料的本体。本体中形成有凹部。凹部适于磁性传感器的封装。

公开(公告)号：CN101632140B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200780049154.8

申请日：2007-12-27

Applicant: 监测仪器有限责任公司

Inventor： G·F·沃斯 ,  A·N·杜耶

IPC: H01F7/02

CPC classification number: H01F7/0294 ,  H01F7/0278 ,  H01J49/30

Abstract: 一种环形磁体组件，具有大体柱形的磁体，其限定了具有上端和下端的气隙。上、下面板分别布置在环形磁体的上部和环形磁体的下部。面板优选具有高磁导率。可以在气隙内布置质量分析仪。可以在本发明的环形磁性组件的气隙内布置离子发生器。可以提供一对垂直堆叠的磁性环形组件。在该实施例中，可以在一个气隙内布置质量分析仪，并且在另一个气隙内布置离子发生器。