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公开(公告)号：CN107430915B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580077546.X
申请日：2015-09-15
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/053 , B22F1/0011 , B22F3/02 , B22F9/04 , B22F2009/043 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C19/07 , C22C2200/02 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H01F41/0266 , H02K1/02 , H02K1/27 , H02K1/276 , H02K1/2766 , B22F2202/05 , B22F3/10 , B22F2003/248 , B22F3/1028
摘要： 本发明提供高性能的永久磁铁。该永久磁铁具备组成式：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t所表示的组成和金属组织，该金属组织包含具有Th2Zn17型结晶相的晶胞相、和以与晶胞相分割的方式设置、具有比Th2Zn17型结晶相高的Cu浓度的富Cu相。Th2Zn17型结晶相的Fe浓度为30原子％以上45原子％以下。富Cu相的平均长度为30nm以上250nm以下。
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公开(公告)号：CN107134336A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710104730.X
申请日：2017-02-24
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01F1/057
CPC分类号： H01F1/053 , B22F1/0014 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F9/04 , B22F2009/042 , B22F2009/044 , B22F2201/11 , B22F2201/20 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D3/06 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F1/058 , B22F3/02 , B22F2202/05 , B22F2009/049 , B22F3/10 , B22F2009/048 , B22F9/023 , B22F2003/248 , B22F3/12 , H01F1/0571
摘要： 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其特征在于：具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒，其中，R为稀土元素，T为以Fe或者Fe和Co作为必需元素的铁族元素，B为硼，上述主相颗粒的平均粒径为2.8μm以下，除R、T、B以外，至少含有C和Ga，B的含量为0.71质量％以上且0.86质量％以下，C的含量为0.13质量％以上且0.34质量％以下，Ga的含量为0.40质量％以上且1.80质量％以下，并且满足下述式(1)。0.14≤[C]/([B]+[C])≤0.30 (1)其中，[B]是以原子％表示的B含量，[C]是以原子％表示的C含量。
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公开(公告)号：CN103858185B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280050562.6
申请日：2012-10-11
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC分类号： H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
摘要： 本发明提供一种R‑T‑B系烧结磁体，是一种具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的R‑T‑B系烧结磁体10，并且该R‑T‑B系烧结磁体10中，作为稀土元素实质上不包含镝；具备：具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的晶粒12、形成于晶粒12之间的晶界区域；三相点区域14是被3个以上的晶粒12所包围的晶界区域，该三相点区域包含稀土元素、过渡元素和硼，并且具有稀土元素的质量比率比晶粒12高的组成；截面上的三相点区域14的面积的平均值为2μm2以下，该面积的分布的标准偏差为3以下。
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公开(公告)号：CN103890880B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280052830.8
申请日：2012-10-17
申请人： 因太金属株式会社
CPC分类号： H01F41/0293 , B22F7/02 , B22F2998/10 , C21D9/46 , C22C28/00 , C22C33/0278 , C22C38/12 , C22C2202/02 , H01F1/053 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F3/14 , B22F2003/248
摘要： 本发明的课题在于，提供一种NdFeB系烧结磁体的制造方法：能够以低成本防止在进行晶界扩散处理时包括涂布在NdFeB系烧结磁体的基材上的重稀土类元素(RH)在内的涂布物熔接于托盘等器具。在将含有重稀土类元素(RH)的涂布物(R)涂布在NdFeB系烧结磁体的基材(S)上并利用晶界扩散法使重稀土类元素(RH)向该基材的晶界扩散的NdFeB系烧结磁体的制造方法中，将上述涂布物(R)涂布在片(10)上，以使涂布在上述片(10)上的涂布物(R)与上述基材(S)的涂布目标面相接触的方式使该片(10)和该基材(S)密合，在使上述片(10)与上述基材(S)密合的状态下对该基材(S)进行上述晶界扩散处理(加热处理)。
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公开(公告)号：CN105845301A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510498280.8
申请日：2015-08-13
申请人： 北京中科三环高技术股份有限公司
CPC分类号： H01F7/02 , C21D6/007 , C21D9/0068 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C23C10/30 , C23C10/60 , C23C24/08 , H01F1/053 , H01F1/0577 , H01F41/0293 , H05B6/80 , H05B6/806
摘要： 本发明公开了一种稀土永磁体及稀土永磁体的制备方法，该稀土永磁体所述材料由磁体表面沿磁场取向方向至磁体内部5μm～100μm深度存在重稀土元素体积扩散现象，形成体积扩散层区；将体积扩散区划分为体积10﹡100﹡5um的磁体单元，体积扩散层内各个位置磁体单元的重稀土元素的浓度差在0.5at％以下。本发明提供了一种在不影响产品剩磁Br和最大磁能积(BH)max的前提下，具有高内禀矫顽力Hcj的烧结钕铁硼磁体。在稀土永磁体的制备方法中，将涂覆重稀土源浆料的毛坯磁体在真空条件下进行微波热处理。该方法能够有效地提高加热效率，缩短热处理时间，降低能量的消耗，削减磁体的生产成本。
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公开(公告)号：CN102483979B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201080030500.X
申请日：2010-07-09
申请人： 因太金属株式会社
发明人： 佐川真人
CPC分类号： H01F41/0293 , B22D11/001 , B22F1/025 , B22F3/1017 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F2003/241 , B22F2003/248 , B22F2009/044 , B22F2201/20 , B22F2202/05 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C23C10/30 , C23C12/02 , H01F1/053 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F7/02
摘要： 本发明的目的在于提供一种即使厚度为5mm以上也具有较高的顽磁力HcJ且最大磁能积(BH)max及矩形比SQ的值较高的NdFeB烧结磁铁。本发明的NdFeB烧结磁铁是通过晶界扩散法使Dy或/及Tb沿NdFeB烧结磁铁的基材的晶界扩散而成的，所述基材中的金属状态的稀土类的量以原子比计为12.7％～16.0％，在所述基材的晶界，富稀土类相在该基材的表面与距离该表面2.5mm的深度之间连续，通过所述晶界扩散法扩散的RH所存在的晶界达到距离表面2.5mm的深度。
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公开(公告)号：CN105448444A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410729369.6
申请日：2014-12-03
申请人： 北京中科三环高技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种制备稀土永磁材料的方法和一种稀土永磁材料。该方法包括：在压制毛坯工序之后，且在等静压工序之前，在所压制的毛坯垂直于磁场取向方向的面上布置稀土源粉末，前提是所述稀土源粉末中重稀土元素的重量百分比不低于其他稀土元素的重量百分比。本发明由于在压制毛坯之后进行添加稀土元素的步骤，因此可制备各种形状尺寸的产品而且，该方法工艺过程简单，在不改变传统工艺路线的前提下实现Hcj的提高，且Hcj的分布均匀。
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公开(公告)号：CN104851582A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510085234.5
申请日：2015-02-17
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C25D7/001 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , C25D13/22 , H01F1/053 , H01F1/0577 , H01F41/005 , H01F41/0293
摘要： 本发明提供了稀土永磁体的制备。具体地，通过将R1-Fe-B组成(其中R1为稀土元素)的烧结磁体本体的一部分浸渍于分散在溶剂中的粉末的电沉积浴中，该粉末包含稀土元素的氧化物、氟化物、氟氧化物、氢化物、或稀土合金，实施电沉积以使该粉末沉积在该磁体本体的表面的区域上，以及在真空中或在惰性气体中在低于烧结温度的温度下热处理在其上沉积有粉末的磁体本体。
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公开(公告)号：CN102077303B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN200980124576.6
申请日：2009-04-27
申请人： 巴斯夫欧洲公司
发明人： B·里辛克
IPC分类号： H01F1/01
CPC分类号： H01F1/015 , B22F3/1028 , B22F3/1125 , C22C1/0491 , C22C1/08 , C22C2202/02 , F25B21/00 , H01F1/053 , H01F1/058 , Y02B30/66
摘要： 一种用于换热器的开孔多孔成型体，其包含例如选自如下的热磁材料：(1)通式(I)的化合物：(AyB1-y)2+δCwDxEz(I)，其中：A为Mn或Co；B为Fe、Cr或Ni；C、D、E具有非零的浓度且选自P、B、Se、Ge、Ga、Si、Sn、N、As和Sb且C、D、E中至少两个相互不同，其中C、D和E中至少一个为Ge或Si；δ为-0.1至0.1；w、x、y、z为0-1，其中w+x+z＝1。
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公开(公告)号：CN103890880A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052830.8
申请日：2012-10-17
申请人： 因太金属株式会社
CPC分类号： H01F41/0293 , B22F7/02 , B22F2998/10 , C21D9/46 , C22C28/00 , C22C33/0278 , C22C38/12 , C22C2202/02 , H01F1/053 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F3/14 , B22F2003/248
摘要： 本发明的课题在于，提供一种NdFeB系烧结磁体的制造方法：能够以低成本防止在进行晶界扩散处理时包括涂布在NdFeB系烧结磁体的基材上的重稀土类元素(RH)在内的涂布物熔接于托盘等器具。在将含有重稀土类元素(RH)的涂布物(R)涂布在NdFeB系烧结磁体的基材(S)上并利用晶界扩散法使重稀土类元素(RH)向该基材的晶界扩散的NdFeB系烧结磁体的制造方法中，将上述涂布物(R)涂布在片(10)上，以使涂布在上述片(10)上的涂布物(R)与上述基材(S)的涂布目标面相接触的方式使该片(10)和该基材(S)密合，在使上述片(10)与上述基材(S)密合的状态下对该基材(S)进行上述晶界扩散处理(加热处理)。
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