公开(公告)号：CN108440531B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201810148965.3

申请日：2012-11-07

Applicant: UDC 爱尔兰有限责任公司

Inventor： T·沙福尔 ,  U·海因梅耶 ,  N·兰格尔 ,  A·沃勒布 ,  C·伦纳茨 ,  渡边宗一 ,  T·M·斐济拉杜阿尔特 ,  G·瓦根布拉斯特 ,  D·鲍尔 ,  I·穆恩斯特 ,  C·席尔德克内希特 ,  H·沃勒布

IPC: C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明涉及用于电子应用的4H‑咪唑并[1,2‑a]咪唑。具体讲，本发明涉及式(I)化合物，一种其的生产方法及其在电子器件，尤其是场致发光器件中的用途。当用作场致发光器件中磷光发射体的电子传输和/或主体材料时，式I化合物可以提供具有改进效率、稳定性、可制造性或光谱特性的场致发光器件。

公开(公告)号：CN106432344B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610316910.X

申请日：2016-05-13

Applicant: 机光科技股份有限公司

Inventor： 颜丰文

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种茚并三亚苯的铱金属络合物及使用其的有机电激发光装置，前述铱金属络合物可应用有机EL装置中，主要用以作发光层的发光掺杂剂。因此，能制备出具有低驱动电压、低功率消耗、高效率及长半衰期时间的有机EL装置。本发明另涉及一种包括下式(1)所示结构的胺衍生物的有机电激发光装置。

公开(公告)号：CN109021022A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810764727.5

申请日：2014-07-29

Applicant: UDC 爱尔兰有限责任公司

Inventor： P·穆尔 ,  G·巴塔格利亚林 ,  K·多尔曼 ,  S·麦茨 ,  G·瓦根布拉斯特 ,  F·L·贝内蒂托 ,  渡边宗一 ,  C·伦纳茨 ,  T·格斯纳

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07F5/025 ,  C07F15/0033 ,  C07F15/0086 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5096 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及发光的二氮杂苯并咪唑碳烯金属配合物。本发明涉及通式(I)的金属‑碳烯配合物，其中变量M为Ir或Pt，其特征在于变量R为式(a)的基团。所述配合物用于有机电子器件，尤其是OLED(有机发光二极管)、照明器件、静态视觉显示单元中和用于作为发射体的材料、电荷传输材料和/或电荷或激子阻挡剂中。

公开(公告)号：CN102365902B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080014242.6

申请日：2010-03-29

Applicant: UDC爱尔兰有限责任公司

Inventor： 纳谷昌之 ,  外山弥 ,  安田英纪

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5012

Abstract: 在电致发光装置(1)中，在不降低其耐久性的情况下实现了高效率的光发射。电致发光装置(1)包括电极(11，16)，沉积在电极(11，16)之间的多个层(12至15)，多个层(12至15)之间的发光区(14)，发光区(14)通过在电极(11，16)之间施加电场而发射光。多个层包括发光区(14)附近的金属薄膜(20)。金属薄膜(20)由发射光所致而在其表面上诱导等离子体激元共振。将表面修饰物(30)设置在金属薄膜(20)的表面的至少一个上。表面修饰物(30)包含端基，所述端基具有极性，使得金属薄膜(20)的功函变得接近紧邻金属薄膜(20)的至少一层(15)的功函。

公开(公告)号：CN101878552B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200880104631.0

申请日：2008-06-25

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： N·兰格尔 ,  K·卡勒 ,  C·伦纳茨 ,  O·莫尔特 ,  E·福克斯 ,  J·鲁道夫 ,  C·席尔德克内希特 ,  渡边宗一 ,  G·瓦根布拉斯特

IPC: C09K11/06 ,  C07F7/08 ,  H01L51/00 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5016

Abstract: 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

公开(公告)号：CN101896494B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN200880120200.3

申请日：2008-10-17

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： O·莫尔特 ,  C·伦纳茨 ,  E·弗茨 ,  K·卡勒 ,  N·兰格尔 ,  C·席尔德克内希特 ,  J·鲁道夫 ,  G·瓦根布拉斯特 ,  渡边宗一

IPC: C07F15/00 ,  C07F19/00 ,  H01L51/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: C07F15/0033

Abstract: 本发明涉及桥连的环金属化碳烯配合物，一种制备桥连的环金属化碳烯配合物的方法，桥连的环金属化碳烯配合物在有机发光二极管中的用途，包含至少一种本发明的桥连的环金属化碳烯配合物的有机发光二极管，包含至少一种本发明的桥连的环金属化碳烯配合物的发光层，包含至少一种本发明的发光层的有机发光二极管以及包含至少一种本发明的有机发光二极管的器件。

公开(公告)号：CN102484208A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080033346.1

申请日：2010-07-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤祐 ,  神长邦行 ,  林诚之 ,  堤清彦 ,  藤田光宏

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5016 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/5048

Abstract: 本发明公开一种有机电致发光元件，其中按顺序相继形成一个电极、至少一个有机沉积层和另一个电极。该有机电致发光元件的特征在于：有机沉积层的在所述另一个电极侧的表面的表面粗糙度(Ra)与有机沉积层的厚度(t)满足以下关系：0.093＜Ra/t＜0.340。本发明还公开了一种用于制备有机电致发光元件的方法，其中按顺序相继形成一个电极、包括发光层的至少一个有机沉积层和另一个电极。进行有机沉积层的沉积以使得有机沉积层的在所述另一个电极侧的表面的表面粗糙度(Ra)与有机沉积层的厚度(t)满足以下关系：0.093＜Ra/t＜0.340。

公开(公告)号：CN102365767A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080014238.X

申请日：2010-03-29

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安田英纪 ,  纳谷昌之 ,  外山弥

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5012 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/38 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/465 ,  C03C2217/478 ,  C03C2217/479 ,  C03C2217/48 ,  C03C2217/948 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5268 ,  H01L2251/5369

Abstract: 高透光效率在不降低装置的耐久性的情况下实现在电致发光装置(1)中。电致发光装置(1)包括：电极(11，16)；多个层(13至15)，在电极(11，16)之间一个沉积在另一个上；和多个层(13至15)之间的发光区域(14)。通过发光区域(14)发射的光来引起在其表面上的等离子共振的至少一个微粒(20)布置在发光区域(14)附近或在发光区域(14)中。微粒(20)是包括至少一个金属微粒芯(22)和覆盖至少一个金属微粒芯(22)的绝缘外壳(21)的芯壳型微粒。

公开(公告)号：CN102201543A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110078456.6

申请日：2011-03-24

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 今田有纪 ,  北村吉隆

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种有机电场发光元件，其是依次至少具有第一电极、发光层、半透射性的第二电极、中间层、半透射层和光透射层的有机电场发光元件，并且具有：使从所述发光层中射出的光在所述第一电极与所述第二电极之间共振并射出的第一共振器结构；和使所述光在所述第一电极与所述半透射层之间共振并射出的第二共振器结构，其中，在将从所述发光层中射出的光的峰值波长的1/4长度设为t，将所述光透射层的折射率设为n时，所述光透射层的厚度满足下式：0.9×t/n以上1.1×t/n以下。

公开(公告)号：CN102148335A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010583402.0

申请日：2010-12-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥俊朗 ,  白崎裕一

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明提供一种光热转换片，其被用于利用激光热转印法制造有机场致发光装置中，具有基材和该基材上的光热转换层的光热转换片的所述光热转换层含有0.5质量％～10质量％的沸点至少为70℃的热气化物质。另外，提供一种有机场致发光装置的制造方法，其包括：将所述在光热转换层上具有有机场致发光材料层的有机场致发光原料片与基板层叠而形成层叠体的层叠工序；向所述层叠体的光热转换层照射光而向所述基板上转印有机场致发光原料层的转印工序。