发光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102365902B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201080014242.6

    申请日:2010-03-29

    CPC classification number: H01L51/5012

    Abstract: 在电致发光装置(1)中,在不降低其耐久性的情况下实现了高效率的光发射。电致发光装置(1)包括电极(11,16),沉积在电极(11,16)之间的多个层(12至15),多个层(12至15)之间的发光区(14),发光区(14)通过在电极(11,16)之间施加电场而发射光。多个层包括发光区(14)附近的金属薄膜(20)。金属薄膜(20)由发射光所致而在其表面上诱导等离子体激元共振。将表面修饰物(30)设置在金属薄膜(20)的表面的至少一个上。表面修饰物(30)包含端基,所述端基具有极性,使得金属薄膜(20)的功函变得接近紧邻金属薄膜(20)的至少一层(15)的功函。

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