• Patent Title: 包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S,S-二氧化物的化合物的有机发光二极管
  • Patent Title (English): Organic light-emitting diodes containing carbene transition metal complex emitters and at least one compound selected from disilylcarbazoles, disilyldibenzofurans, disilyldibenzothiophenes, disilyldibenzophospholes, disilyldibenzothiophene s-oxides a
  • Application No.: CN200880104631.0
    Application Date: 2008-06-25
  • Publication No.: CN101878552B
    Publication Date: 2015-07-15
  • Inventor: N·兰格尔K·卡勒C·伦纳茨O·莫尔特E·福克斯J·鲁道夫C·席尔德克内希特渡边宗一G·瓦根布拉斯特
  • Applicant: 巴斯夫欧洲公司
  • Applicant Address: 德国路德维希港
  • Assignee: 巴斯夫欧洲公司
  • Current Assignee: UDC爱尔兰有限责任公司
  • Current Assignee Address: 德国路德维希港
  • Agency: 北京市中咨律师事务所
  • Agent 刘金辉; 林柏楠
  • Priority: 07111809.5 2007.07.05 EP; 08153309.3 2008.03.26 EP
  • International Application: PCT/EP2008/058106 2008.06.25
  • International Announcement: WO2009/003898 DE 2009.01.08
  • Date entered country: 2010-02-26
  • Main IPC: C09K11/06
  • IPC: C09K11/06 C07F7/08 H01L51/00 H01L51/54
包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S,S-二氧化物的化合物的有机发光二极管
Abstract:
本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管,其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S,S-二氧化物的化合物,本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层,上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途,以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件;本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S,S-二氧化物的化合物,及其制备方法。
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