处理熔融硅的坩埚
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101370968A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200780003063.0

    申请日:2007-01-12

    发明人: G·兰克勒

    IPC分类号: C30B11/00 C30B15/10

    摘要: 本发明涉及处理熔融硅的坩埚,所述坩埚包含具有限定内部容积的底面和侧壁的基体。依据本发明,该基体包含至少65重量%的碳化硅和12-30重量%的选自氧化硅或氮化硅的组分。而且,不同于现有技术的坩埚,至少在限定所述坩埚的内部容积的表面包含至少一层氧化硅和/或氮化硅的涂层,所述坩埚可使用数次而无物理完整性的任何可见劣化。