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公开(公告)号：CN119364832A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411929987.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
Abstract: 本发明属于GaN功率器件技术领域，具体涉及一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法。本发明提供的高阈值稳定性GaN功率器件，包括设置在所述GaN缓冲层部分上表面的空穴阻挡层；所述源极场板的初始端位于所述源极上表面，所述源极场板的末端的边缘在所述缓冲层上表面的投影位置位于所述空穴阻挡层在所述GaN缓冲层上表面的投影面积之内；所述空穴阻挡层的材料为N型GaN。本发明提供的GaN功率器件在所述GaN缓冲层的上表面特定区域位置增加了一层N型GaN材料的空穴阻挡层，能够有效起到空穴阻挡的作用，阻止碰撞电离产生的空穴向栅极移动，从而实现了高的阈值稳定性，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118381338B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410804800.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开一种半桥常开耗尽型开关器件的直驱电路，涉及电子技术领域，该直驱电路包括：驱动电路与半桥功率桥臂连接；第一耗尽型开关器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接；或者，第一耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，N型MOSFET器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第一耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接。本发明能够提高驱动电路的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118100882B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410516434.0
申请日：2024-04-28
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H03K17/04 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供了一种常开耗尽型开关器件的驱动电路，涉及开关器件的驱动电路领域，包括：耗尽型GaN器件的栅极分别与开通电阻的一端以及关断电阻的一端相连接；耗尽型GaN器件的源极与驱动供电电压VCC相连接；开通电阻的另一端与NPN型三极管的发射极相连接；NPN型三极管的集电极与驱动供电电压VCC相连接；关断电阻的另一端与PNP型三极管的发射极相连接；PNP型三极管的集电极与驱动供电电压VCC的地连接；PNP型三极管的基极以及NPN型三极管的基极均连接信号脉冲；耗尽型GaN器件的开通或关断由信号脉冲进行驱动控制。本发明能够避免级联中低压Si MOSFET器件存在带来的开关速度变慢，带来的反向恢复问题以及级联GaN产品应用场景受限等问题。
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公开(公告)号：CN118367762A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788279.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开一种耗尽型功率器件直驱电路及其驱动控制方法，涉及半导体器件领域；该电路包括：驱动控制单元、带二极管的共源共栅GAN器件、第一P型SI Mos管和第二P型SI Mos管；驱动控制单元分别与第一P型SI Mos管、第二P型SI Mos管和带二极管的共源共栅GAN器件连接；带二极管的共源共栅GAN器件包括：耗尽型GAN、二极管和SI Mos管；第一P型SI Mos管的漏极与SI Mos管的栅极连接；第二P型SI Mos管的源极与耗尽型GAN的源极连接；本发明能够实现耗尽型功率器件的直接驱动，且开关速度可控，增强实用性和灵活性。
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公开(公告)号：CN118100882A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410516434.0
申请日：2024-04-28
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H03K17/04 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供了一种常开耗尽型开关器件的驱动电路，涉及开关器件的驱动电路领域，包括：耗尽型GaN器件的栅极分别与开通电阻的一端以及关断电阻的一端相连接；耗尽型GaN器件的源极与驱动供电电压VCC相连接；开通电阻的另一端与NPN型三极管的发射极相连接；NPN型三极管的集电极与驱动供电电压VCC相连接；关断电阻的另一端与PNP型三极管的发射极相连接；PNP型三极管的集电极与驱动供电电压VCC的地连接；PNP型三极管的基极以及NPN型三极管的基极均连接信号脉冲；耗尽型GaN器件的开通或关断由信号脉冲进行驱动控制。本发明能够避免级联中低压Si MOSFET器件存在带来的开关速度变慢，带来的反向恢复问题以及级联GaN产品应用场景受限等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116631960B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310540438.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。
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公开(公告)号：CN116466157A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310353957.3
申请日：2023-04-06
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种耗尽型GaNHEMT器件反偏老化测试装置，涉及功率器件测试领域，装置包括：电源模块和测试电阻转换模块的一端均与测试模块连接；测试模块用于放置待测试器件；电源模块用于对所述待测试器件提供电压；测试电阻转换模块的另一端与测试电阻连接；测试电阻转换模块用于根据待测试器件的电压和电流调节测试电阻的阻值；控制模块分别与电源模块和测试电阻转换模块连接；控制模块用于控制电源模块的开关，并设置测试电阻转换模块的参数，以进行反偏老化测试。本发明的电源模块能够仅对功率器件的漏极提供高压，栅极接地，提高了功率器件反偏老化测试的稳定性。
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公开(公告)号：CN116031159B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310316493.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明提供的低反向漏电准垂直结构GaN SBD，在刻蚀后余下N‑GaN层的侧壁及刻蚀平台的部分区域（也即N+GaN表面的部分区域）进行离子注入，将注入区域的GaN变成绝缘体，阻止了电子从侧壁向欧姆电极的流动（即表面漏电），从而降低了反向漏电流，提升了器件的反向耐压。
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公开(公告)号：CN115775730A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202310101818.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P‑GaN的方式，可以实现产业化。在P‑GaN刻蚀过程，N‑GaN暴露出来的表面会受到刻蚀损伤，导致其与后续的肖特基金属接触的界面质量变差，从而会导致器件的反向漏电增加，反向耐压降低，本发明通过覆盖一层薄的AlN薄膜，由于ALD沉积（原子层沉积）的AlN具有晶体结构，与GaN的晶格常数能较好地匹配，因此可以修复刻蚀后N‑GaN表面的刻蚀损伤。本发明将AlN薄膜的厚度控制在4nm以内，薄的AlN层在器件加正向电压时，电子会通过隧穿的方式从N‑GaN进入到肖特基电极，形成电流，从而不影响开启电压。
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公开(公告)号：CN115513203B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211469719.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/20 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供一种集成栅极级联单元的氮化镓功率器件，涉及功率器件领域；功率器件包括：栅极级联单元和GaN器件；该栅极级联单元包括：耗尽型级联单元和稳压二极管；耗尽型级联单元包括串联的第一耗尽型器件和第二耗尽型器件；耗尽型级联单元的一端作为功率器件的栅极；耗尽型级联单元的另一端分别与稳压二极管的阴极和GaN器件的栅极连接；稳压二极管的阳极与GaN器件的源极连接；GaN器件的漏极作为功率器件的漏极；GaN器件的源极作为功率器件的源极；本发明能够解决耐压不足和驱动电压范围窄的问题，从而提高工作效率。
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