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公开(公告)号：CN117813693A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280051169.2
申请日：2022-11-11
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种与现有技术相比提高温湿度偏压耐性、并且还实现场限层与场板的良好连接的半导体器件和使用它的功率转换装置。本发明的半导体器件包括设置在终端区的浮空场限层(102)和与场限层(102)电连接的场板(105)，其特征在于：场板(105)由多晶硅形成，场板(105)与场限层(102)经由Al电极(108)连接，场限层(102)与Al电极(108)的连接和场板(105)与Al电极(108)的连接是通过不同的接触件(109、110)实现的。
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公开(公告)号：CN117480602A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040728.X
申请日：2022-05-09
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 本发明提供在具有半导体芯片、在绝缘基板形成的配线以及引线框的半导体模块中具有比以往更高的散热效果的半导体模块。本发明的半导体模块(10)具备绝缘基板(1)、在绝缘基板(1)形成的配线(2)、半导体芯片(3)以及引线框(4)，半导体芯片(3)的一个面与配线(2)连接，另一个面与引线框(4)连接，配线(2)具有与引线框(4)连接的浮动配线，浮动配线与引线框(4)的连接点位于绝缘基板(1)的角部。
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公开(公告)号：CN117461131A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280040718.6
申请日：2022-05-10
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/00 , H01L23/552
摘要： 提供一种功率半导体模块，将栅极端子和发射极感测端子相互相邻地配置、并且在它们的附近配置主电路布线，该功率半导体模块可靠性高，能够有效地抑制由于在主电路布线中流过的电流发生的感应磁场对栅极端子以及发射极感测端子造成的影响。其特征在于，具备：栅极端子，被输入控制信号；基准电位端子，与所述栅极端子隔开预定的间隙而相邻地配置；主电路布线，配置于所述栅极端子以及所述基准电位端子的附近；以及电磁屏蔽部，配置于所述栅极端子与所述基准电位端子之间，遮蔽由于在所述主电路布线中流过的电流发生的感应磁场，所述电磁屏蔽部与所述栅极端子以及所述基准电位端子的至少某一方一体地形成，在所述栅极端子与所述基准电位端子之间，从所述感应磁场的磁通与所述电磁屏蔽部交链的方向观察时的未被所述电磁屏蔽部遮蔽的间隙是1mm以下。
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公开(公告)号：CN117355939A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036273.4
申请日：2022-05-10
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明提供一种具有能够降低在内部配线中产生的电振动的内部配线结构的功率半导体模块以及电力转换装置。本发明的功率半导体模块具备上臂和下臂，上臂具有：第一基板，其搭载有包含第一开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第二基板，其搭载有包含与第一开关元件并联连接的第二开关元件的至少一个功率半导体芯片，下臂具有：第三基板，其搭载有包含第三开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第四基板，其搭载有包含与第三开关元件并联连接的第四开关元件的至少一个功率半导体芯片，上臂具有第一配线，该第一配线连接第一基板与第二基板，且将第一开关元件的发射极或源极与第二开关元件的发射极或源极连接，第一配线配置在与上臂的功率半导体芯片中的位于离下臂最远的位置的功率半导体芯片的离所述下臂远的一侧的端部相比更远离下臂的位置。
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公开(公告)号：CN111033723B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880050808.7
申请日：2018-07-19
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 本发明提供一种功率半导体模块，即使在为了实现功率半导体模块的大容量化且保证高绝缘可靠性而扩大绝缘基板上的表面电极的面积，使沿面距离缩小的情况下，也能够防止因沿面放电引起的短路击穿。功率半导体模块(100)的特征在于，具有：绝缘基板(2)，其在表背面上设有第一电极(7‑1)和第二电极(7‑2)；功率半导体芯片(1)，其与第一电极(7‑1)接合；金属基座(3)，其与第二电极(7‑2)接合；绝缘壳体(5)；以及硅凝胶(6)，其配置于由金属基座(3)和绝缘壳体(5)形成的空间内且密封绝缘基板(2)和功率半导体芯片(1)，绝缘基板(2)的互相对置的侧面彼此或与绝缘基板(2)对置的绝缘壳体(5)的侧面和绝缘基板(2)的侧面通过硬质树脂(8)接合，硬质树脂(8)覆盖缘基板(2)从第一电极(7‑1)露出的部分的一部分及绝缘基板(2)的侧面的一部分。
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公开(公告)号：CN116457937A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180074786.X
申请日：2021-11-25
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L23/28
摘要： 本发明提供一种功率半导体装置，在主端子被加热时，防止以在主端子与密封树脂之间产生的空隙、因从半导体装置外部通过密封树脂侵入的水蒸气而产生的空隙为起点的局部放电，小型且可靠性高。功率半导体装置(100A)具备绝缘基板(1)、设置于绝缘基板(1)的表面的半导体元件(2)以及密封半导体元件(2)的凝胶状的第一绝缘材料(8)，其特征在于，具有用于将半导体元件(2)与外部设备电连接的板状端子(5)，板状端子(5)的被第一绝缘材料(8)包围的部分全部由硬度比第一绝缘材料(8)高的第二绝缘材料(10)被覆。
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公开(公告)号：CN115552576A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032214.5
申请日：2021-03-08
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L21/52
摘要： 半导体装置具有半导体芯片、导体图案、焊料合金层以及金属间化合物层。导体图案由金属(例如Cu)构成，经由焊料合金层与半导体芯片的下表面连接。金属间化合物层形成于半导体芯片的下表面与焊料合金层的边界，且具备从下表面侧朝向导体图案侧的凹凸面。半导体芯片的下表面具备包含下表面的中心的第一区域以及包含下表面的外周的第二区域。如图2所示，关于金属间化合物层的厚度，与下表面的第一区域重叠的部分的平均厚度比与第二区域重叠的部分的平均厚度厚。
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公开(公告)号：CN109727932B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811253311.3
申请日：2018-10-25
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498
摘要： 提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8‑2)的端部(8‑2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9‑2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9‑2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8‑2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8‑2e)的位置，相比于软钎焊料(9‑2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8‑2)与软钎焊料(9‑2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8‑2)及软钎焊料(9‑2)同为接地电势而抑制电晕放电。
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公开(公告)号：CN109287137B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201780029440.1
申请日：2017-06-19
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 为了提供无论搭载的运算装置的处理能力如何都能够实现转矩脉动抑制控制的马达驱动装置，本发明的马达驱动装置(100)具备：电力变换电路(104)，驱动永磁马达(101)；以及控制部(103)，控制电力变换电路(104)，其具有以下特征。控制部(103)包括矢量控制部(106)和转矩脉动补偿部(108)，转矩脉动补偿部(108)包括振幅生成部(109a)、校正电压生成部(109b)以及加法部(109c)。矢量控制部(106)输出电压指令，振幅生成部(109a)输出校正电压振幅，校正电压生成部(109b)根据振幅生成部(109a)的输出和转子位置输出校正电压指令，加法部(109c)根据矢量控制部(106)的输出和校正电压生成部(109b)的输出而输出校正后电压指令。根据该校正后电压指令使电力变换电路(104)动作。
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