专利检索 ap:("株式会社日立功率半导体") AND inv:"井出英一" 第 1 页

1.

发明公开
功率半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116457937A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180074786.X

申请日：2021-11-25

申请人： 株式会社日立功率半导体

发明人： 楠川顺平 , 井出英一 , 三间彬

IPC分类号： H01L23/28

摘要： 本发明提供一种功率半导体装置，在主端子被加热时，防止以在主端子与密封树脂之间产生的空隙、因从半导体装置外部通过密封树脂侵入的水蒸气而产生的空隙为起点的局部放电，小型且可靠性高。功率半导体装置(100A)具备绝缘基板(1)、设置于绝缘基板(1)的表面的半导体元件(2)以及密封半导体元件(2)的凝胶状的第一绝缘材料(8)，其特征在于，具有用于将半导体元件(2)与外部设备电连接的板状端子(5)，板状端子(5)的被第一绝缘材料(8)包围的部分全部由硬度比第一绝缘材料(8)高的第二绝缘材料(10)被覆。