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公开(公告)号：CN117480719A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040719.0
申请日：2022-05-10
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H02M7/5387
摘要： 提供在将多个逆变器电路并联连接而构成的半导体模块中，能够用比较简单的电路结构高精度地检测功率半导体元件的短路电流的半导体模块的过电流检测装置。一种半导体模块的过电流检测装置，检测并联连接结构的半导体模块的过电流，该半导体模块具有：第1逆变器电路，搭载有第1上支路和第1下支路；以及第2逆变器电路，与所述第1逆变器电路并联连接，搭载有第2上支路和第2下支路，其特征在于，所述第1逆变器电路在所述第1上支路的发射极与所述第1下支路的集电极之间具有第1输出端子，所述第2逆变器电路在所述第2上支路的发射极与所述第2下支路的集电极之间具有第2输出端子，用布线连接所述第1输出端子和所述第2输出端子，并且在所述第1输出端子和所述第2输出端子的中点安装有向外部的输出布线，所述第1输出端子与所述中点之间的布线电感和所述第2输出端子与所述中点之间的布线电感大致相等，检测所述第1输出端子与所述第2输出端子之间的电位差，在该检测的电位差超过预定的阈值的情况下，判定为发生过电流。
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公开(公告)号：CN117178370A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029438.5
申请日：2022-04-08
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 提供一种一并具有低的导通损失和开关损失并且工作时的发热温度的均匀性良好的可靠性高的半导体装置。其特征在于，在同一半导体芯片内具备高传导区域和低传导区域，在所述低传导区域中，具有与第1栅电极连接的第1载流子控制栅极、和与可与所述第1栅电极独立地控制的第2栅电极连接的开关栅极，在所述高传导区域中，具有与第3栅电极连接的第2载流子控制栅极，在所述低传导区域的与所述高传导区域的边界侧的端部，配置有所述第1载流子控制栅极和所述开关栅极中的所述第1载流子控制栅极，在导通时可积蓄的载流子浓度相比于所述高传导区域在所述低传导区域更低。
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公开(公告)号：CN105957859A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201510977325.X
申请日：2015-12-23
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 本发明提供一种在半导体功率组件中，能够抑制从主端子给控制端子带来的噪声影响并且实现组件小型化的组件构造。在该半导体功率组件中，使主端子(正极端子(11a)、负极端子(11b)、交流端子(11c))的至少任一者包含在相同的方向上延伸的两个部分。例如，由具有从半导体功率组件(10)的外部向内部分开成两岔的形状的单一部件或者由相互分体的两个部件构成主端子的两个部分，该两个部分的一个部分和另一个部分在相同的方向上延伸。以控制端子(栅极信号端子3a(3c)和发射极信号端子3b(3d))的层叠部分夹在主端子的两个部分中的一个部分与另一个部分之间的方式配置控制端子，构成半导体功率组件(10)。
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公开(公告)号：CN105957859B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510977325.X
申请日：2015-12-23
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 本发明提供一种在半导体功率组件中，能够抑制从主端子给控制端子带来的噪声影响并且实现组件小型化的组件构造。在该半导体功率组件中，使主端子(正极端子(11a)、负极端子(11b)、交流端子(11c))的至少任一者包含在相同的方向上延伸的两个部分。例如，由具有从半导体功率组件(10)的外部向内部分开成两岔的形状的单一部件或者由相互分体的两个部件构成主端子的两个部分，该两个部分的一个部分和另一个部分在相同的方向上延伸。以控制端子(栅极信号端子3a(3c)和发射极信号端子3b(3d))的层叠部分夹在主端子的两个部分中的一个部分与另一个部分之间的方式配置控制端子，构成半导体功率组件(10)。
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公开(公告)号：CN117461131A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280040718.6
申请日：2022-05-10
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/00 , H01L23/552
摘要： 提供一种功率半导体模块，将栅极端子和发射极感测端子相互相邻地配置、并且在它们的附近配置主电路布线，该功率半导体模块可靠性高，能够有效地抑制由于在主电路布线中流过的电流发生的感应磁场对栅极端子以及发射极感测端子造成的影响。其特征在于，具备：栅极端子，被输入控制信号；基准电位端子，与所述栅极端子隔开预定的间隙而相邻地配置；主电路布线，配置于所述栅极端子以及所述基准电位端子的附近；以及电磁屏蔽部，配置于所述栅极端子与所述基准电位端子之间，遮蔽由于在所述主电路布线中流过的电流发生的感应磁场，所述电磁屏蔽部与所述栅极端子以及所述基准电位端子的至少某一方一体地形成，在所述栅极端子与所述基准电位端子之间，从所述感应磁场的磁通与所述电磁屏蔽部交链的方向观察时的未被所述电磁屏蔽部遮蔽的间隙是1mm以下。
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公开(公告)号：CN117355939A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036273.4
申请日：2022-05-10
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明提供一种具有能够降低在内部配线中产生的电振动的内部配线结构的功率半导体模块以及电力转换装置。本发明的功率半导体模块具备上臂和下臂，上臂具有：第一基板，其搭载有包含第一开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第二基板，其搭载有包含与第一开关元件并联连接的第二开关元件的至少一个功率半导体芯片，下臂具有：第三基板，其搭载有包含第三开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第四基板，其搭载有包含与第三开关元件并联连接的第四开关元件的至少一个功率半导体芯片，上臂具有第一配线，该第一配线连接第一基板与第二基板，且将第一开关元件的发射极或源极与第二开关元件的发射极或源极连接，第一配线配置在与上臂的功率半导体芯片中的位于离下臂最远的位置的功率半导体芯片的离所述下臂远的一侧的端部相比更远离下臂的位置。
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