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公开(公告)号：CN105624648A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610179954.2
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/303
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。
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公开(公告)号：CN101748377B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/18
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离，且所述调距装置包括：设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管，引导波纹管的伸缩移动的支撑杆，以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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公开(公告)号：CN101736311A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010033964.8
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的加热装置，包括：至少两段炉丝，该至少两段炉丝布置在同一加热平面内，且每一段炉丝连接到各自的电极；邻近所述加热平面布置在至少两段炉丝下方的测温计，用于探测每一段炉丝的加热温度；和温度控制器，该温度控制器基于测温计测得的温度，分别控制施加到每一段炉丝的加热功率以分别控制该至少两段炉丝的加热温度，使该至少两段炉丝的加热温度均匀化。根据本发明的金属有机物化学沉积设备的加热装置采用多段炉丝加热，通过每段炉丝加热功率的独立控制和/或炉丝形状、尺寸的设计，实现大面积加热温度的均匀可控，从而提高了外延材料的质量。另外，采用水冷电极和加热器屏蔽罩，进一步提高了加热的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN105926035A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610339091.0
申请日：2016-05-19
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/45512
摘要： 本发明公开了一种用于混晶化学气相外延的进气装置，包括：设置在生长室上的混气装置，混气装置上划分有第一预设数量的混气区域；与混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，混气区域的出口与生长室导通；进气通道用于各种反应气体的输入；混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的反应气体的盛放。使用时，将各种反应气体通过进气通道输送到各自对应的混气区域，其中，同一混气区域盛放的为反应气体中预反应程度接近的气体，最后，所有反应气体进入生长室进行晶体生长。本发明将各种反应气体分开输送到各自对应的混气区域，在输入的过程中，可各自调节，且将预反应程度相差多的区分开，降低了预反应，提高了混晶的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105803424A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610177630.5
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长设备，该薄膜生长腔室为环形腔室；环形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的扇形托盘；环形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的扇形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的扇形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的环形腔室可以无限制地扩大，只要环形腔室扩大区域的顶面上设置有进气结构，就能提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长设备的产能。
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公开(公告)号：CN101812671B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455
摘要： 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN101914762A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010269018.3
申请日：2010-08-31
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为2n个扇形区，n为大于1的整数；该水冷匀气板分为有机源水冷匀气板和氢化物气体水冷匀气板，每一个扇形区对应一个水冷匀气板。利用本发明，可以使反应气体均匀的进入反应室内，使反应室内气体达到均匀生长的气流模式。
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公开(公告)号：CN101812671A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455
摘要： 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN105063575A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510585911.X
申请日：2015-09-15
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；其中，自第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图，由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向，以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。
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公开(公告)号：CN101748377A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/18
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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