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公开(公告)号：CN105624648A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610179954.2
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/303
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。
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公开(公告)号：CN105063575A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510585911.X
申请日：2015-09-15
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；其中，自第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图，由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向，以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。
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公开(公告)号：CN105926035A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610339091.0
申请日：2016-05-19
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/45512
摘要： 本发明公开了一种用于混晶化学气相外延的进气装置，包括：设置在生长室上的混气装置，混气装置上划分有第一预设数量的混气区域；与混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，混气区域的出口与生长室导通；进气通道用于各种反应气体的输入；混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的反应气体的盛放。使用时，将各种反应气体通过进气通道输送到各自对应的混气区域，其中，同一混气区域盛放的为反应气体中预反应程度接近的气体，最后，所有反应气体进入生长室进行晶体生长。本发明将各种反应气体分开输送到各自对应的混气区域，在输入的过程中，可各自调节，且将预反应程度相差多的区分开，降低了预反应，提高了混晶的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105803424A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610177630.5
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长设备，该薄膜生长腔室为环形腔室；环形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的扇形托盘；环形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的扇形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的扇形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的环形腔室可以无限制地扩大，只要环形腔室扩大区域的顶面上设置有进气结构，就能提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长设备的产能。
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公开(公告)号：CN105063575B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510585911.X
申请日：2015-09-15
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；其中，自第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图，由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向，以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。
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公开(公告)号：CN105624648B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610179954.2
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。
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公开(公告)号：CN204945048U
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201520712440.X
申请日：2015-09-15
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种拉曼原位监控装置，包括：光源系统，用于输出入射激光；设置于所述光源系统的光路上的聚光系统；设置于所述出光口的光路上的集光系统；设置于所述集光系统的光路上的色散系统；以及，设置于所述色散系统的光路上的采集系统。实时对反应室内气体和薄膜进行监控以获取相应的拉曼光谱，并通过对反应室内温度、压强等参数调节以使中间产物的拉曼光谱保持一致，进而改善薄膜的结晶质量，提高薄膜的稳定性；并且，根据薄膜内有应力下的拉曼光谱的频移和无应力下的标准拉曼光谱的频移的关系，获取应力大小，并对反应室内温度、压强等参数调节以使应力在允许范围内，以避免出现应力足够大而使得薄膜沿晶面间距较大的晶面裂开的情况。
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