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公开(公告)号：CN118866867A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410480095.5
申请日：2024-04-22
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 电子装置和制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括第一组件，所述第一组件包括第一组件内侧和第一组件背侧、第一组件内端子、在所述第一组件内侧处的第一组件电介质，以及与所述第一组件内端子耦合的第一组件互连件。所述电子装置包括第二组件，所述第二组件在所述第一组件上方且包括面向所述第一组件内侧的第二组件内侧以及第二组件背侧、第二组件内端子、在所述第二组件内侧处的第二组件电介质，以及与所述第二组件内端子耦合的第二组件互连件。所述第一组件电介质和所述第二组件电介质包括无机材料，所述第一组件电介质与所述第二组件电介质耦合，并且所述第一组件互连件与所述第二组件互连件耦合。
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公开(公告)号：CN118366962A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410065356.7
申请日：2024-01-17
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包含衬底，所述衬底包含衬底上侧及导电结构，所述导电结构包括邻近于所述衬底上侧的衬底上部端子。竖直互连件耦合到所述衬底上部端子。包封物覆盖所述衬底及所述竖直互连件的部分。所述竖直互连件从所述包封物的上侧暴露。重布结构在所述包封物之上且包含重布结构上侧、重布结构下侧、重布电介质结构及重布导电结构。所述重布结构包含邻近于所述重布结构上侧的重布上部端子及邻近于所述重布下侧的重布底部端子。所述重布底部端子耦合到所述竖直互连件及所述重布上部端子。电子组件耦合到所述重布上部端子。本文中还公开其它实例及相关方法。
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公开(公告)号：CN117954404A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311377012.1
申请日：2023-10-24
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：衬底，其包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层，电子组件，其在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合，包封物，其在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧，以及屏蔽物，其在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧。所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，并且其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。本文中还公开其它实例和相关方法。
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公开(公告)号：CN117878009A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311776545.7
申请日：2017-03-28
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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公开(公告)号：CN117810172A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311215360.9
申请日：2023-09-20
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包含电子组件，所述电子组件包含组件第一侧、与所述组件第一侧相对的组件第二侧以及将所述组件第一侧连接到所述组件第二侧的组件横向侧，其中所述组件横向侧限定所述电子组件的周界。第一中间端子耦合到所述周界内的所述电子组件。中间组件耦合到所述周界内的所述第一中间端子。包封物结构在所述中间组件、所述第一中间端子的至少一部分和所述电子组件的至少一部分上方。本文还公开了其它实例和相关方法。
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公开(公告)号：CN117790461A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311731849.1
申请日：2018-10-08
申请人： 艾马克科技公司
摘要： 本申请是申请号为：“201811169135.5”，申请日为：“2018年10月08日”，发明名称为：“制造电子装置的方法”的发明专利的分案申请。本发明提供一种制造电子装置的方法。尤其是关于一种用于制造电子装置的方法，方法包含：取得基板，基板包括多个焊垫；形成多个焊料构件，多个焊料构件中的每一个焊料构件被定位在多个焊垫中的各自的焊垫上；提供接脚模板，接脚模板包含多个孔洞；将接脚模板定位在基板上方，将多个孔洞中的每一个孔洞对准多个焊垫中的各自的焊垫；提供多个接脚，多个接脚中的每一个接脚被定位在多个孔洞中的各自的孔洞中；从接脚移除接脚模板；并且回焊焊料构件。
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公开(公告)号：CN117712090A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311167169.1
申请日：2023-09-12
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22
摘要： 半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个范例中，一种电子装置包括：下部衬底，其包括下部介电结构和下部导电结构；电子组件，其与所述下部衬底的底部侧耦合且与所述下部导电结构耦合；上部衬底，其位于所述下部衬底的顶部侧上方且包括上部介电结构和上部导电结构；内部互连件，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且与所述上部导电结构和所述下部导电结构耦合；及第一天线组件，其位于所述上部衬底与所述下部衬底之间且与所述上部导电结构耦合。本文中还公开其它范例和相关方法。
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公开(公告)号：CN117334677A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310764304.4
申请日：2023-06-27
申请人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/58
摘要： 电子装置和制造电子装置的方法。一种电子装置包含衬底，所述衬底具有衬底顶侧和衬底导电结构。所述衬底导电结构包含接地路径和供电路径。电子组件耦合到所述衬底。囊封物覆盖所述电子组件和所述衬底顶侧。所述囊封物包含孔口且所述供电路径由所述孔口暴露。第一网状结构包含在所述囊封物上方的第一网状覆盖物，且通过所述孔口耦合到所述第一网状覆盖物和所述供电路径的第一网状互连件。第二网状结构包含具有第二覆盖物顶板和从所述第二覆盖物顶板延伸的第二覆盖物侧壁的第二网状覆盖物，且耦合到所述第二网状覆盖物和所述接地路径的第二网状接触件。所述第二网状覆盖物在所述第一网状覆盖物上方，且所述第一网状覆盖物在所述电子组件上方。
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公开(公告)号：CN107275229B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710056209.3
申请日：2017-01-25
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/52 , H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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