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公开(公告)号：CN117848390A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311283134.4
申请日：2023-10-06
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
IPC分类号： G01D5/12
摘要： 一种决定编码器磁体旋转角度(α)的装置(10)，其中装置(10)包括编码器磁体(15)以及大于或等于二的数量n个磁体传感器(MS1、…、MSn)。编码器磁体(15)绕旋转轴(A1)可旋转地布置，用于产生磁场(B)。磁场(B)包括多个平面平行磁场平面(E)，其中这些平面平行磁场平面(E)的表面法线(nE)与旋转轴(A1)平行，且其中磁场(B)还包括多个布置于所述多个平面平行磁场平面(E)的多个磁场向量(vB,i)。这大于或等于二的数量n个磁体传感器(MS1、…、MSn)布置于这些平面平行磁场平面(E)的至少其中之一，其中第一磁场向量(vB,1)在第一磁体传感器(MS1)的位置处具有第一对准角度(θ1)，且其中n个磁体传感器中的另外n‑1个(MS2、…、MSn)布置在磁场(B)中的多个位置，这些位置的磁场向量(vB,2、…、vB,n)具有角度(θ2、…、θn)，其满足方程式：#imgabs0#其中1
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公开(公告)号：CN109219246B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810735557.8
申请日：2018-07-06
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
摘要： 一种具有半导体本体和印制电路板的封装的集成电路构件，半导体本体包括单片集成电路和金属接通面，印制电路板具有第一、第二区域、上侧、下侧、连接接通部和印制导线，连接接通部作为接通孔布置在第一区域内，半导体本体作为管芯布置在第二区域内，半导体本体完全被灌注料覆盖，印制电路板在第二区域内被灌注料覆盖，印制电路板下侧构成集成电路壳体的一部分，接通孔具有与金属内壁相同的内直径并成形用于容纳能导电的压入销，以便构成压配合连接并由此构成与至少一个其他电构件的电连接，印制电路板在第一区域内没有灌注料，压入销构成引线框架的一部分并与引线框架一体连接，印制电路板仅借助压入销构成力锁和连接以及与引线框架的导电连接。
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公开(公告)号：CN108872887A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810421585.2
申请日：2018-05-04
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·弗兰克
IPC分类号： G01R33/04
摘要： 一种磁场补偿装置具有：棒状的第一通量传导件，其具有构造在X方向上的纵轴线并且具有第一头侧端部；和棒状的第二通量传导件，其具有构造在X方向上的纵轴线，第一通量传导件和第二通量传导件相对彼此在Y方向上间隔开，它们的纵轴线基本上彼此平行地布置；磁场传感器；环绕通量传导件地构造的补偿线圈；控制单元，其与磁场传感器和补偿线圈处于电式的作用连接中，控制单元设置用于根据磁场传感器的测量信号如此调节通过补偿线圈的补偿电流，使得对于构造在X方向上的外磁场在磁场传感器的位置上基本上补偿磁场，在第二通量传导件中构造有在X轴线方向上的磁场，磁场传感器布置在第一通量传导件的头侧端部上。
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公开(公告)号：CN105789166B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610014083.9
申请日：2016-01-11
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
IPC分类号： H01L23/495
摘要： 本发明涉及具有一个半导体主体的集成电路壳体(IC‑壳体)，其中半导体主体具有一个单片的集成电路及至少两个金属接触面，及该集成电路借助导体线路与两个电接触面连接以及半导体主体被设置在一个载体基底上且与该载体基底力锁合地连接，及该载体基底具有至少两个连接接触部及这两个连接接触部与两个接触面连接以及半导体主体与载体基底被一个浇注质量体覆盖，其中浇注质量体构成IC‑壳体的一部分及两个连接接触部的各一区段穿过IC壳体，其中这两个连接接触部设置在载体基底上及每个连接接触部与位于相应的连接接触部下面的载体基底构成一个孔状构形，其中相应的孔状构形被构成穿通接触部，以便提供与另一电构件的电连接。
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公开(公告)号：CN107664753B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710605527.0
申请日：2017-07-24
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
摘要： 一种用于沿着z方向确定探测器的位置的测量系统具有：半导体本体，其具有上表面、下表面、至少一个连接触点和至少一个在z方向上敏感的磁场传感器；载体，其具有正面、背面和导电区域；用于产生磁场的磁体，其具有沿着第一面形成的第一磁极和垂直于第一面延伸的对称轴线，其中，在半导体本体的至少一个连接触点与载体的至少一个印制导线之间存在电作用连接，磁体的第一面平行于z方向布置，并且磁体的对称轴线垂直于z方向布置，探测器具有朝向磁场传感器的端面，该端面能够平行于z方向朝向磁场传感器的方向运动至少直至测量高度，磁场传感器相对于磁体的第一面具有第一间距并且相对于测量高度具有第二间距，并且第一间距是第二间距的60％和110％之间。
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公开(公告)号：CN105319518B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510462884.7
申请日：2015-07-31
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
摘要： 磁场测量装置具有:第半导体主体,具有在第x‑y平面中构成的表面,第半导体主体在该表面上具有两个相互间隔开的磁场传感器,磁场传感器分别测量磁场的z分量,x方向和y方向和z方向分别相互正交地构成;第磁体,具有在第二x‑y平面中构成的平的主延伸面,沿着该主延伸面在第磁体的对称面上,磁化的方向从北极变换成南极;第半导体主体和第磁体相互刚性地固定;第半导体主体相对于第磁体在x‑y平面中平移偏移地设置,在第x‑y平面与第二x‑y平面之间沿z方向构成的偏移小于第磁体沿z方向构成的厚度,两个磁场传感器之靠近北极设置,另靠近南极设置,从而在磁场的z分量中磁场传感器构造出具有彼此相反极性的信号。
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公开(公告)号：CN109073413B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201680085061.X
申请日：2016-04-29
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·弗兰克
IPC分类号： G01D5/14
摘要： 本发明涉及一种间距测量设备，其具有两个磁场传感器、永磁体和半导体主体，其中，所述半导体主体具有整体地集成的分析处理电路并且能够借助所述磁场传感器求取差分信号并且提供作为所述求取的结果的输出信号，其中，所述基于无磁通区域的消除的输出信号的值与所述铁磁性探测器至所述两个磁场传感器的间距相关，并且在第一实施方式中，所述半导体主体布置在在X方向上磁化的磁体的U形地构造的极腿之间，其中，所述第一磁场传感器布置在处于所述第一极的两个彼此相对置的腿之间的区域中并且在极腿之间构造底面，并且所述半导体主体在Z方向上布置在所述底部区域上方，或在第二实施方式中，为了在对两个半导体传感器不同强度地作用的第二探测器的情况下测量所述磁通变化的大小，所述永磁体在Z方向上磁化并且所述两个极面中的一个构造在X‑Y平面并且所述磁场传感器沿所述极面布置。
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公开(公告)号：CN109346417A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811144119.0
申请日：2016-01-11
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/24 , H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/495
摘要： 本发明涉及具有一个半导体主体的集成电路壳体(IC-壳体)，其中半导体主体具有一个单片的集成电路及至少两个金属接触面，及该集成电路借助导体线路与两个电接触面连接以及半导体主体被设置在一个载体基底上，其中所述载体基底在上侧上具有盆槽状成型部，并且，所述半导体主体设置在该盆槽状成型部的底部区域中且与该载体基底力锁合地连接，及该载体基底具有至少两个连接接触部及这两个连接接触部与两个接触面连接以及半导体主体与载体基底的盆槽状成型部被一个浇注质量体覆盖，其中浇注质量体构成IC-壳体的一部分及两个连接接触部的各一区段穿过IC壳体，其中这两个连接接触部设置在载体基底上，所述连接接触部包括导体线路区段，其中，所述导体线路区段延伸越过盆槽状成型部的边缘及在所述载体基底的盆槽状成型部外部的区域中的每个连接接触部与位于相应的连接接触部下面的载体基底构成一个孔状构形，其中相应的孔状构形被构成穿通接触部，以便提供与另一电构件的电连接。
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公开(公告)号：CN109219246A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810735557.8
申请日：2018-07-06
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
摘要： 一种具有半导体本体和印制电路板的封装的集成电路构件，半导体本体包括单片集成电路和金属接通面，印制电路板具有第一、第二区域、上侧、下侧、连接接通部和印制导线，连接接通部作为接通孔布置在第一区域内，半导体本体作为管芯布置在第二区域内，半导体本体完全被灌注料覆盖，印制电路板在第二区域内被灌注料覆盖，印制电路板下侧构成集成电路壳体的一部分，接通孔具有与金属内壁相同的内直径并成形用于容纳能导电的压入销，以便构成压配合连接并由此构成与至少一个其他电构件的电连接，印制电路板在第一区域内没有灌注料，压入销构成引线框架的一部分并与引线框架一体连接，印制电路板仅借助压入销构成力锁和连接以及与引线框架的导电连接。
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公开(公告)号：CN109073413A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680085061.X
申请日：2016-04-29
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·弗兰克
IPC分类号： G01D5/14
摘要： 本发明涉及一种间距测量设备，其具有两个磁场传感器、永磁体和半导体主体，其中，所述半导体主体具有整体地集成的分析处理电路并且能够借助所述磁场传感器求取差分信号并且提供作为所述求取的结果的输出信号，其中，所述基于无磁通区域的消除的输出信号的值与所述铁磁性探测器至所述两个磁场传感器的间距相关，并且在第一实施方式中，所述半导体主体布置在在X方向上磁化的磁体的U形地构造的极腿之间，其中，所述第一磁场传感器布置在处于所述第一极的两个彼此相对置的腿之间的区域中并且在极腿之间构造底面，并且所述半导体主体在Z方向上布置在所述底部区域上方，或在第二实施方式中，为了在对两个半导体传感器不同强度地作用的第二探测器的情况下测量所述磁通变化的大小，所述永磁体在Z方向上磁化并且所述两个极面中的一个构造在X-Y平面并且所述磁场传感器沿所述极面布置。
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