公开(公告)号：CN105321641A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510389036.8

申请日：2015-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 志村寿一 ,  伊藤和彦 ,  藤田一孝

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C1/14 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明提供一种常温电阻率小且电阻温度系数α大的BaTiO3系半导体陶瓷组合物。该半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，包含0.010～0.050mol的Sr，并且Sr的摩尔比u与Bi的摩尔比x满足下述式(6)，(Ba1-x-y-wBixAyREw)m(Ti1-zTMz)O3 (1)(A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)。0.007≤x≤0.125(2)；x

公开(公告)号：CN105321641B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510389036.8

申请日：2015-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 志村寿一 ,  伊藤和彦 ,  藤田一孝

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C1/14 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明提供一种常温电阻率小且电阻温度系数α大的BaTiO3系半导体陶瓷组合物。该半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，包含0.010～0.050mol的Sr，并且Sr的摩尔比u与Bi的摩尔比x满足下述式(6)，(Ba1‑x‑y‑wBixAyREw)m(Ti1‑zTMz)O3(1)(A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)。0.007≤x≤0.125(2)；x

公开(公告)号：CN107043252A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067787.7

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  藤田一孝 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧，25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为：在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中，Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代，并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代，在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时，满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43；0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25；0＜(RE含量+TM含量)≤0.01，并且在晶体粒径为1.1～4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值，该峰值的分布频率为20％以上。

公开(公告)号：CN107043251A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067756.1

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田一孝 ,  伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使居里点移向高于120℃的高温侧，并且将25℃电阻率保持在能够实用化的水平，同时电阻变化率Δρ/ρ0小，并且耐电压优异的半导体陶瓷组合物以及具备该半导体陶瓷组合物的PTC热敏电阻。本发明涉及一种半导体陶瓷组合物，其以式(1)表示，(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3 (1)；(A是选自Na和K中的至少一种，RE是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种)，在此，0.750y≤x≤1.50y (2)；0.007≤y≤0.125 (3)；0≤(w+z)≤0.010 (4)；v+x+y+w＝1 (5)；u+z＝1 (6)；0.950≤m≤1.050 (7)；而且，包含0.001～0.055mol的Ca，包含0.0005～0.005mol的选自Mg、Al、Fe、Co、Cu、Zn中的至少一种。

公开(公告)号：CN106431390B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610627105.9

申请日：2016-08-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田一孝 ,  伊藤和彦 ,  志村寿一

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化，常温电阻率小，即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化，并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO3系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)(A为Na和K，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w＝1(5)、u+z＝1(6)、0.950≤m≤1.050(7)，进一步含有0.001～0.055mol的Ca，Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。

公开(公告)号：CN106431390A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610627105.9

申请日：2016-08-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田一孝 ,  伊藤和彦 ,  志村寿一

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/027 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3253 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9607 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/025 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3224 ,  H01C7/026

Abstract: 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化，常温电阻率小，即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化，并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO3系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)(A为Na和K，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w＝1(5)、u+z＝1(6)、0.950≤m≤1.050(7)，进一步含有0.001～0.055mol的Ca，Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。