公开(公告)号：CN107043252A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067787.7

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  藤田一孝 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧，25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为：在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中，Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代，并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代，在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时，满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43；0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25；0＜(RE含量+TM含量)≤0.01，并且在晶体粒径为1.1～4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值，该峰值的分布频率为20％以上。

公开(公告)号：CN107043251A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067756.1

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田一孝 ,  伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使居里点移向高于120℃的高温侧，并且将25℃电阻率保持在能够实用化的水平，同时电阻变化率Δρ/ρ0小，并且耐电压优异的半导体陶瓷组合物以及具备该半导体陶瓷组合物的PTC热敏电阻。本发明涉及一种半导体陶瓷组合物，其以式(1)表示，(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3 (1)；(A是选自Na和K中的至少一种，RE是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种)，在此，0.750y≤x≤1.50y (2)；0.007≤y≤0.125 (3)；0≤(w+z)≤0.010 (4)；v+x+y+w＝1 (5)；u+z＝1 (6)；0.950≤m≤1.050 (7)；而且，包含0.001～0.055mol的Ca，包含0.0005～0.005mol的选自Mg、Al、Fe、Co、Cu、Zn中的至少一种。