公开(公告)号：CN101233590A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027392.4

申请日：2006-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐田仁 ,  内田清志 ,  堀野贤治 ,  相泽英里

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55

Abstract: 在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。

公开(公告)号：CN101233590B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200680027392.4

申请日：2006-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐田仁 ,  内田清志 ,  堀野贤治 ,  相泽英里

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55

Abstract: 在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。