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公开(公告)号：CN104098327A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410136887.7
申请日：2014-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/453 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , H01G4/1209 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种由通式xBi2O3-yZnO-(z-a)Nb2O5-aV2O5表示的电介质陶瓷组合物。其中，通式中的x、y、z和a分别满足2.90≦x≦3.10、1.90≦y≦2.10、1.90≦z≦2.10、0.0005≦a≦0.020。
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公开(公告)号：CN111697297A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010174792.X
申请日：2020-03-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/37
Abstract: 本发明提供一种不可逆电路元件，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。不可逆电路元件(10)具备：磁转子(40)，其配置于接地导体(51、52)之间；永久磁铁(31、32)，其对磁转子(40)施加直流磁场。磁转子(40)包含：铁氧体磁芯(41)，其一表面由接地导体(51)覆盖；铁氧体磁芯(42)，其一表面由接地导体(52)覆盖；中心导体(70B)，其直接固定于铁氧体磁芯(41)的另一表面；中心导体(70A)，其直接固定于铁氧体磁芯(42)的另一表面。这样，因为中心导体(70A、70B)分别直接固定于铁氧体磁芯(42、41)，所以在两者之间不会产生间隙。由此，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。
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公开(公告)号：CN104704932A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052100.2
申请日：2013-10-02
Applicant: TDK株式会社 , 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H05K1/092 , B32B18/00 , C04B35/10 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/68 , C09D5/24 , H01B1/16 , H01B1/22 , H05K3/246 , H05K3/4629 , Y10T428/24909 , H05K3/46 , H01B1/00 , H01B5/14 , H05K3/1283
Abstract: 本发明提供一种耐镀敷性优良，镀敷处理后也具有对陶瓷基板和镀膜的良好的粘附性，且在共烧的情况下能够除去烧制后的约束层而不残留在表面导体上的约束烧制用的导电膏及使用该导电膏的陶瓷基板。一种导电膏，其含有在膏组合物中的含有率为60～95质量％的Ag粉末、相对于Ag粉末的质量为0.5～5质量％的硼硅酸类玻璃粉末、其余为铂族金属添加剂和有机载体，上述铂族金属添加剂至少含有Ru和Rh两种金属，该铂族金属添加剂的Ru和Rh的各自的含量相对于上述Ag粉末的质量以金属成分换算为0.05～5质量％的Ru和0.001～0.1质量％的Rh。
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公开(公告)号：CN119314784A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410913751.6
申请日：2024-07-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子部件。线圈部件(1)具备素体(3)、和配置于素体(3)内的第一线圈导体(11)及第二线圈导体(13)，导体在与第一线圈导体(11)及第二线圈导体(13)的延伸方向正交的截面中，在从该延伸方向观察时的宽度方向上具有第一端部及第二端部，第一端部构成第一角度，第二端部构成第二角度，第一角度与第二角度不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111697297B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010174792.X
申请日：2020-03-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/37
Abstract: 本发明提供一种不可逆电路元件，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。不可逆电路元件(10)具备：磁转子(40)，其配置于接地导体(51、52)之间；永久磁铁(31、32)，其对磁转子(40)施加直流磁场。磁转子(40)包含：铁氧体磁芯(41)，其一表面由接地导体(51)覆盖；铁氧体磁芯(42)，其一表面由接地导体(52)覆盖；中心导体(70B)，其直接固定于铁氧体磁芯(41)的另一表面；中心导体(70A)，其直接固定于铁氧体磁芯(42)的另一表面。这样，因为中心导体(70A、70B)分别直接固定于铁氧体磁芯(42、41)，所以在两者之间不会产生间隙。由此，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。
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公开(公告)号：CN104347920B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410379939.3
申请日：2014-08-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/2002 , H01P3/16 , H01P7/10
Abstract: 本发明所涉及的电介质线路具备由具有第1相对介电常数的第1电介质构成的线路部、由具有第2相对介电常数的第2电介质构成的周围电介质部。线路部使1GHz～10GHz范围内的1个以上的频率的电磁波传播。周围电介质部在垂直于线路部中的电磁波传播方向的截面上是存在于线路部的周围。第1相对介电常数为1000以上。第2相对介电常数小于第1相对介电常数。
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公开(公告)号：CN104704932B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201380052100.2
申请日：2013-10-02
Applicant: TDK株式会社 , 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H05K1/092 , B32B18/00 , C04B35/10 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/68 , C09D5/24 , H01B1/16 , H01B1/22 , H05K3/246 , H05K3/4629 , Y10T428/24909
Abstract: 本发明提供一种耐镀敷性优良，镀敷处理后也具有对陶瓷基板和镀膜的良好的粘附性，且在共烧的情况下能够除去烧制后的约束层而不残留在表面导体上的约束烧制用的导电膏及使用该导电膏的陶瓷基板。一种导电膏，其含有在膏组合物中的含有率为60～95质量％的Ag粉末、相对于Ag粉末的质量为0.5～5质量％的硼硅酸类玻璃粉末、其余为铂族金属添加剂和有机载体，上述铂族金属添加剂至少含有Ru和Rh两种金属，该铂族金属添加剂的Ru和Rh的各自的含量相对于上述Ag粉末的质量以金属成分换算为0.05～5质量％的Ru和0.001～0.1质量％的Rh。
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公开(公告)号：CN104098327B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410136887.7
申请日：2014-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/453 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , H01G4/1209 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种由通式xBi2O3-yZnO-(z-a)Nb2O5-aV2O5表示的电介质陶瓷组合物。其中，通式中的x、y、z和a分别满足2.90≦x≦3.10、1.90≦y≦2.10、1.90≦z≦2.10、0.0005≦a≦0.020。
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公开(公告)号：CN104347920A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379939.3
申请日：2014-08-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/2002 , H01P3/16 , H01P7/10
Abstract: 本发明所涉及的电介质线路具备由具有第1相对介电常数的第1电介质构成的线路部、由具有第2相对介电常数的第2电介质构成的周围电介质部。线路部使1GHz～10GHz范围内的1个以上的频率的电磁波传播。周围电介质部在垂直于线路部中的电磁波传播方向的截面上是存在于线路部的周围。第1相对介电常数为1000以上。第2相对介电常数小于第1相对介电常数。
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