公开(公告)号：CN101364479B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200810145616.2

申请日：2008-08-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  吉井彰敏 ,  五岛亮 ,  长谷部和幸 ,  新川贵树 ,  斋藤博纪 ,  高桥诚

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40

CPC classification number: C04B37/006 ,  C04B2235/608 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/249956

Abstract: 一种陶瓷生片结构及层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中该陶瓷生片结构包括：至少包含陶瓷材料及树脂的陶瓷生片、和在该陶瓷生片上形成的导电层。电极非形成区域的空隙度为17％以上，优选为25％以下。此外，形成了导电层的电极形成区域的空隙度小于没有形成导电层的电极非形成区域的空隙度。

公开(公告)号：CN101364479A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810145616.2

申请日：2008-08-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  吉井彰敏 ,  五岛亮 ,  长谷部和幸 ,  新川贵树 ,  斋藤博纪 ,  高桥诚

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40

CPC classification number: C04B37/006 ,  C04B2235/608 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/249956

Abstract: 一种陶瓷生片结构及层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中该陶瓷生片结构包括：至少包含陶瓷材料及树脂的陶瓷生片、和在该陶瓷生片上形成的导电层。电极非形成区域的空隙度为17％以上，优选为25％以下。此外，形成了导电层的电极形成区域的空隙度小于没有形成导电层的电极非形成区域的空隙度。