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公开(公告)号：CN107793148B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201710756337.9
申请日：2017-08-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/30 , C04B35/468 , C04B41/88 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物和层叠电子部件。该电介质组合物包含钛酸钡、钇的氧化物和镁的氧化物。在将钇的氧化物的含量以Y2O3换算设定为α摩尔份，将镁的氧化物的含量以MgO换算设定为β摩尔份的情况下，0.70≤α/β≤1.10。
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公开(公告)号：CN107793148A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710756337.9
申请日：2017-08-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , H01G4/30 , C04B41/009 , C04B41/5194 , C04B41/88 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3418 , C04B2235/606 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/664 , C04B2235/94 , C04B41/4574
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物和层叠电子部件。该电介质组合物包含钛酸钡、钇的氧化物和镁的氧化物。在将钇的氧化物的含量以Y2O3换算设定为α摩尔份，将镁的氧化物的含量以MgO换算设定为β摩尔份的情况下，0.70≤α/β≤1.10。
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公开(公告)号：CN107026016B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201611224874.0
申请日：2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有内装部以及外装部的陶瓷电子元件。内装部具有内装部介电体层以及内部电极层。外装部具有外装部介电体层。外装部位于内装部的层叠方向的外侧。内装部介电体层以及外装部介电体层包含作为主成分的钛酸钡。将在以BaTiO3换算将内装部介电体层中所含的钛酸钡的含量作为100摩尔份的情况下的内装部介电体层中所含的稀土元素的含量设定为α摩尔份，并且将在以BaTiO3换算将外装部介电体层中所含的钛酸钡的含量作为100摩尔份的情况下的外装部介电体层中所含的稀土元素的含量设定为β摩尔份的情况下，β‑α≥0.20并且α/β≤0.88。
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公开(公告)号：CN106971845B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611224875.5
申请日：2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/4686 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/1227
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026016A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611224874.0
申请日：2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , H01G4/232
Abstract: 本发明涉及一种具有内装部以及外装部的陶瓷电子元件。内装部具有内装部介电体层以及内部电极层。外装部具有外装部介电体层。外装部位于内装部的层叠方向的外侧。内装部介电体层以及外装部介电体层包含作为主成分的钛酸钡。将在以BaTiO3换算将内装部介电体层中所含的钛酸钡的含量作为100摩尔份的情况下的内装部介电体层中所含的稀土元素的含量设定为α摩尔份，并且将在以BaTiO3换算将外装部介电体层中所含的钛酸钡的含量作为100摩尔份的情况下的外装部介电体层中所含的稀土元素的含量设定为β摩尔份的情况下，β‑α≥0.20并且α/β≤0.88。
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公开(公告)号：CN113321501A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110659468.1
申请日：2017-08-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H01G4/30 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物和层叠电子部件。该电介质组合物包含钛酸钡、钇的氧化物、镁的氧化物、以及铬或锰的氧化物，在将钇的氧化物的含量以Y2O3换算设定为α摩尔份，将镁的氧化物的含量以MgO换算设定为β摩尔份的情况下，0.70≤α/β≤1.10，在将所述钛酸钡的含量以BaTiO3换算设定为100摩尔份的情况下，镁的含量以MgO换算为1.12～1.85摩尔份，钇的含量以Y2O3换算为0.78～2.03摩尔份，铬或锰的氧化物以氧化物换算为0.14～0.20摩尔份。
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公开(公告)号：CN107026014A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611224955.0
申请日：2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B18/00 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01G4/08
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层含有钛酸钡以及钇。电介质层含有电介质颗粒以及Y‑Ti偏析颗粒。在电介质层的截面中Y‑Ti偏析颗粒所占的面积比例为1.3％以下。
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公开(公告)号：CN106971845A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611224875.5
申请日：2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/4686 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/1227 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。
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