公开(公告)号：CN112203403B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010602524.3

申请日：2020-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 森田高章 ,  小松圣虎 ,  田岛盛一 ,  佐藤和希子

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明提供一种印刷配线板等，该印刷配线板降低了使用液晶聚合物的基材的局部特性的偏差。该印刷配线板在至少一面形成有配线且以液晶聚合物为基材，上述基材的面方向上的上述液晶聚合物的结晶取向度为0.3以下。

公开(公告)号：CN111902883B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201980022603.2

申请日：2019-03-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木翔太 ,  奥泽信之 ,  广瀬大亮 ,  大槻史朗 ,  佐藤和希子

IPC: H01B3/12 ,  C01G33/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种电介质组合物，其特征在于，所述电介质组合物具有包含铋、锌和铌的复合氧化物，电介质组合物具有由复合氧化物构成且具有烧绿石型晶体结构的晶相和非晶相，在将复合氧化物以组成式BixZnyNbzO1.75+δ表示的情况下，x、y以及z满足x+y+z＝1.00、0.20≤y≤0.50、2/3≤x/z≤3/2的关系。

公开(公告)号：CN112203403A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010602524.3

申请日：2020-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 森田高章 ,  小松圣虎 ,  田岛盛一 ,  佐藤和希子

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明提供一种印刷配线板等，该印刷配线板降低了使用液晶聚合物的基材的局部特性的偏差。该印刷配线板在至少一面形成有配线且以液晶聚合物为基材，上述基材的面方向上的上述液晶聚合物的结晶取向度为0.3以下。

公开(公告)号：CN111902883A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980022603.2

申请日：2019-03-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木翔太 ,  奥泽信之 ,  广瀬大亮 ,  大槻史朗 ,  佐藤和希子

IPC: H01B3/12 ,  C01G33/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种电介质组合物，其特征在于，所述电介质组合物具有包含铋、锌和铌的复合氧化物，电介质组合物具有由复合氧化物构成且具有烧绿石型晶体结构的晶相和非晶相，在将复合氧化物以组成式BixZnyNbzO1.75+δ表示的情况下，x、y以及z满足x+y+z＝1.00、0.20≤y≤0.50、2/3≤x/z≤3/2的关系。

公开(公告)号：CN112640137B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H10N30/853 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30 ,  H10N30/079 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。

公开(公告)号：CN112640137A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/319 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。

公开(公告)号：CN111739735A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010088062.8

申请日：2020-02-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大槻史朗 ,  高桥和子 ,  佐藤和希子

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明的电介质膜是包含具有钙钛矿结构的氧化物的电介质膜。上述氧化物包含：(1)Bi、Na和Ti；(2)Ba和Ca中的至少一种；以及(3)选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种元素Ln。上述氧化物中，在将Bi、Ba和Ca的原子数相对于Bi、Na、Ba与Ca的原子数的合计之比分别表示为XBi、XBa和XCa的情况下，满足0.2≤XBi/(XBa+XCa)≤5。