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公开(公告)号：CN112695379A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531585.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及籽晶粘合层、层压体的制备方法及晶片的制备方法。所述籽晶粘合层的特征在于，Vr由下面的式1表示，并且具有28％/mm3以上的Vr值。在所述式1中，Sg(％)是下面的式2的值，V1是碳化前的籽晶粘合层的体积，V2是石墨化的籽晶粘合层的体积，在所述式2中，A1是所述碳化前的籽晶粘合层的面积，A2是所述石墨化的籽晶粘合层的面积。本发明的籽晶粘合层以独特的石墨化收缩率使施加在晶锭上的应力最小化，可以使所生长的晶锭与籽晶支架部分分离，但不能完全分离。而且，使用本发明的籽晶粘合层而制备的晶锭和加工的晶片可以表现出良好的翘曲值。式1；式2
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公开(公告)号：CN105439566A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510600109.3
申请日：2015-09-18
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种烧结片材及其制备方法，所述烧结片材在至少一面上具有通过非加压性方式从纸的表面转印的细微凹凸，从而附着保护膜后，不容易被剥离，并且能够防止在层压天线时可能在保护膜中产生的气泡。并且，所述烧结片材通过简单的方式体现最佳表面粗糙度，因此，与现有的在赋有粗糙度的PET薄膜上进行加压等的方式相比，能够显著降低烧结片材的制备成本，并且容易调节表面粗糙度，并且，即使层叠两张以上而进行烧结，分离成单个烧结片材的效果仍然优异。
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公开(公告)号：CN112748155A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011184512.X
申请日：2020-10-29
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及用于测量含石墨物品的与感应加热特性有关的物性的测量方法、测量装置以及晶锭生长系统。测量方法包括：配置步骤，在包括卷绕的导线的线圈部配置含石墨物品；以及测量步骤，通过与所述线圈部电连接的计测构件向所述线圈部施加测量用电源，来测量在所述线圈部感应的电磁物性。所述测量方法等测量晶锭生长容器、绝热材料等含石墨物品的电磁物性并提供挑选所需的资料，从而能够确保进一步提高晶锭生长的再现性。
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公开(公告)号：CN112746314A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530647.0
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。
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公开(公告)号：CN113322520A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097998.3
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113322519A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097996.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。
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公开(公告)号：CN105439566B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510600109.3
申请日：2015-09-18
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种烧结片材及其制备方法，所述烧结片材在至少一面上具有通过非加压性方式从纸的表面转印的细微凹凸，从而附着保护膜后，不容易被剥离，并且能够防止在层压天线时可能在保护膜中产生的气泡。并且，所述烧结片材通过简单的方式体现最佳表面粗糙度，因此，与现有的在赋有粗糙度的PET薄膜上进行加压等的方式相比，能够显著降低烧结片材的制备成本，并且容易调节表面粗糙度，并且，即使层叠两张以上而进行烧结，分离成单个烧结片材的效果仍然优异。
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公开(公告)号：CN113322521A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011098008.8
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。
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公开(公告)号：CN112746317A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010531592.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。
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公开(公告)号：CN113512759A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202011099175.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，在碳化硅晶锭的制造过程中，在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中，在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法，可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化，并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。
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