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公开(公告)号：CN112748155A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011184512.X
申请日：2020-10-29
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及用于测量含石墨物品的与感应加热特性有关的物性的测量方法、测量装置以及晶锭生长系统。测量方法包括：配置步骤，在包括卷绕的导线的线圈部配置含石墨物品；以及测量步骤，通过与所述线圈部电连接的计测构件向所述线圈部施加测量用电源，来测量在所述线圈部感应的电磁物性。所述测量方法等测量晶锭生长容器、绝热材料等含石墨物品的电磁物性并提供挑选所需的资料，从而能够确保进一步提高晶锭生长的再现性。
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公开(公告)号：CN112746314A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530647.0
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。
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公开(公告)号：CN107453048B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710398100.8
申请日：2017-05-31
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线设备。在该天线设备中，直接在磁性片上形成导电箔或天线图案而无需聚酰亚胺等绝缘基板。该天线设备具有减小的厚度，且可通过简单的工艺进行制备。此外，通过使用聚合物型磁性片，可以改善天线设备的柔韧性。并且，由于其磁性能优异，天线设备可使用于NFC、WPC、MST等多种应用。
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公开(公告)号：CN107452461A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710398939.1
申请日：2017-05-31
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明公开一种磁性片，该磁性片具有改善的耐酸/耐碱性，耐腐蚀性，并具有在NFC、WPC、MST频率下优异的磁性能，并且即使在环境发生变化时，例如，在图案蚀刻过程中所进行的蚀刻处理，或者在为将磁性片应用到产品上所进行的回流或者焊接处理时，该磁性片在重量和厚度上几乎不发生改变。
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公开(公告)号：CN107108227A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004414.9
申请日：2016-03-22
Applicant: SKC株式会社
IPC: C01B32/20 , C01B32/205
Abstract: 本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112746324A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530643.2
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有优异特性的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN112695379A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531585.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及籽晶粘合层、层压体的制备方法及晶片的制备方法。所述籽晶粘合层的特征在于，Vr由下面的式1表示，并且具有28％/mm3以上的Vr值。在所述式1中，Sg(％)是下面的式2的值，V1是碳化前的籽晶粘合层的体积，V2是石墨化的籽晶粘合层的体积，在所述式2中，A1是所述碳化前的籽晶粘合层的面积，A2是所述石墨化的籽晶粘合层的面积。本发明的籽晶粘合层以独特的石墨化收缩率使施加在晶锭上的应力最小化，可以使所生长的晶锭与籽晶支架部分分离，但不能完全分离。而且，使用本发明的籽晶粘合层而制备的晶锭和加工的晶片可以表现出良好的翘曲值。式1；式2
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公开(公告)号：CN107453048A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710398100.8
申请日：2017-05-31
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线设备。在该天线设备中，直接在磁性片上形成导电箔或天线图案而无需聚酰亚胺等绝缘基板。该天线设备具有减小的厚度，且可通过简单的工艺进行制备。此外，通过使用聚合物型磁性片，可以改善天线设备的柔韧性。并且，由于其磁性能优异，天线设备可使用于NFC、WPC、MST等多种应用。
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公开(公告)号：CN113322521A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011098008.8
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。
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公开(公告)号：CN112746317A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010531592.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。
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