公开(公告)号：CN103811541B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201310175270.1

申请日：2013-05-13

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 吴政勳

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层，设置在第二半导体层上并且露出第二半导体层的一部分的第三半导体层、设置在第二半导体层的经由第三半导体层露出的部分上的栅电极以及设置在第三半导体层上在栅电极的两侧处以彼此间隔开的源电极和漏电极。在第三半导体层中在栅电极和漏电极之间形成电隔离区域。

公开(公告)号：CN104425685B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410423052.X

申请日：2014-08-25

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑卿安 ,  吴政勳

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/48 ,  F21V3/00 ,  F21V3/10 ,  F21V29/70 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 所公开的发光器件封装件包括：封装体；设置在封装体的芯片安装区上的发光器件芯片；以及设置在封装体上的模制构件，其中，封装体包括：具有芯片安装区和与芯片安装区相邻的芯片非安装区的中心区，模制构件设置在中心区上；以及围绕中心区的外围区，并且其中发光器件芯片的上表面高于封装体的芯片非安装区中的上表面并且高于封装体的外围区中的上表面。

公开(公告)号：CN104425685A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410423052.X

申请日：2014-08-25

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑卿安 ,  吴政勳

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/48 ,  F21V3/00 ,  F21V3/10 ,  F21V29/70 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 所公开的发光器件封装件包括：封装体；设置在封装体的芯片安装区上的发光器件芯片；以及设置在封装体上的模制构件，其中，封装体包括：具有芯片安装区和与芯片安装区相邻的芯片非安装区的中心区，模制构件设置在中心区上；以及围绕中心区的外围区，并且其中发光器件芯片的上表面高于封装体的芯片非安装区中的上表面并且高于封装体的外围区中的上表面。

公开(公告)号：CN103811541A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310175270.1

申请日：2013-05-13

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 吴政勳

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0646 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层，设置在第二半导体层上并且露出第二半导体层的一部分的第三半导体层、设置在第二半导体层的经由第三半导体层露出的部分上的栅电极以及设置在第三半导体层上在栅电极的两侧处以彼此间隔开的源电极和漏电极。在第三半导体层中在栅电极和漏电极之间形成电隔离区域。