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公开(公告)号：CN107430348A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013084.X
申请日：2016-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H-K·尼恩惠斯 , 埃里克·W·博加特 , R·L·唐克 , B·克鲁兹卡 , E·R·鲁普斯特拉 , H·博特马 , G·C·德弗里斯 , O·W·V·弗吉恩斯 , J·J·M·巴塞曼斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B5/0221 , G02B5/0268 , G02B5/0284 , G03F7/70025 , G03F7/7005 , G03F7/70075 , G03F7/70991 , H01S3/2308 , H05G2/008
Abstract: 一种辐射系统包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所述所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率，其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备，或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束是从所述分束设备输出的分支辐射束。
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公开(公告)号：CN101583909A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780035599.0
申请日：2007-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·拜尼恩 , J·C·L·弗兰肯 , O·W·V·弗吉恩斯 , D·J·W·克朗德尔 , N·M·德里森 , W·A·索尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G01N21/15 , G03F7/70558
Abstract: 本发明公开一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置(1)。该装置包括光学传感器，该传感器包括传感器表面(3)和构造用于从传感器表面去除碎片(6)的去除机构(5)。因而，可以对光刻系统方便地实施剂量和/或污染物测量。
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公开(公告)号：CN101583909B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780035599.0
申请日：2007-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·拜尼恩 , J·C·L·弗兰肯 , O·W·V·弗吉恩斯 , D·J·W·克朗德尔 , N·M·德里森 , W·A·索尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G01N21/15 , G03F7/70558
Abstract: 本发明公开一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置(1)。该装置包括光学传感器，该传感器包括传感器表面(3)和构造用于从传感器表面去除碎片(6)的去除机构(5)。因而，可以对光刻系统方便地实施剂量和/或污染物测量。
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公开(公告)号：CN101911838A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122902.5
申请日：2008-12-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·V·斯戴尼克夫 , V·Y·班尼恩 , K·N·克什烈夫 , O·W·V·弗吉恩斯 , V·M·克里夫特逊
IPC: H05G2/00
CPC classification number: H05G2/003
Abstract: 一种辐射源，所述辐射源被构造且被布置以产生极紫外辐射。所述辐射源包括：腔；第一电极，所述第一电极被至少部分地包含在所述腔中；第二电极，所述第二电极被至少部分地包含在所述腔中；和供给装置，所述供给装置被构造且被布置以提供放电气体至所述腔。所述第一电极和所述第二电极被配置以在所述放电气体中产生放电以形成等离子体，以便产生所述极紫外辐射。所述源还包括气体供给装置，所述气体供给装置被构造且被布置以在靠近所述放电的位置处提供分压在约1Pa和约10Pa之间的气体。所述气体被从由氢气、氦气以及氢气和氦气的混合物组成的组中选出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107430348B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201680013084.X
申请日：2016-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H-K·尼恩惠斯 , 埃里克·W·博加特 , R·L·唐克 , B·克鲁兹卡 , E·R·鲁普斯特拉 , H·博特马 , G·C·德弗里斯 , O·W·V·弗吉恩斯 , J·J·M·巴塞曼斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种辐射系统包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所述所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率，其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备，或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束是从所述分束设备输出的分支辐射束。
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公开(公告)号：CN108701502A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680078016.1
申请日：2016-11-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
CPC classification number: G21G1/10 , G21G1/12 , G21G2001/0042 , G21K2201/065
Abstract: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括：目标支撑结构，其被配置成保持目标(30)；和分束器(40)，其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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公开(公告)号：CN115176202A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202080094125.9
申请日：2020-12-24
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Inventor： R·P·奥尔布赖特 , K·巴尔 , V·Y·拜尼恩 , 理查德·J·布鲁尔斯 , S·F·德弗里斯 , O·W·V·弗吉恩斯 , 黄仰山 , 黄壮雄 , J·H·W·雅各布斯 , J·H·J·莫尔斯 , G·N·内恩查夫 , A·尼基帕罗夫 , T·M·瑞斯费尔德 , M·兰詹 , E·特斯莱特 , K·R·乌姆施塔特 , E·乌兹戈伦 , M·A·范德柯克霍夫 , P·耶格霍比
Abstract: 一种设备，包括：辐射接收设备，该辐射接收设备设置有开口，该辐射接收设备能够操作为通过开口接收来自辐射源的辐射；其中，该辐射接收设备包括偏转设备，该偏转设备被布置成改变颗粒通过开口到达辐射接收设备的轨迹。
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公开(公告)号：CN114360759A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210031847.0
申请日：2016-11-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
Abstract: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括：目标支撑结构，其被配置成保持目标(30)；和分束器(40)，其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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公开(公告)号：CN108701502B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680078016.1
申请日：2016-11-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
Abstract: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括：目标支撑结构，其被配置成保持目标(30)；和分束器(40)，其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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