公开(公告)号：CN106462080B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580030265.9

申请日：2015-04-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·W·J·贝伦德森 ,  M·贝克斯 ,  H·J·卡斯特里杰恩斯 ,  H·A·格瑞斯 ,  A·H·凯沃特斯 ,  L·M·勒瓦希尔 ,  P·沙普 ,  B·斯特瑞夫科尔克 ,  S·A·特罗普

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制曝光过程以便补偿与曝光过程期间由物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。

公开(公告)号：CN111176079A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010106860.9

申请日：2015-04-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·W·J·贝伦德森 ,  M·贝克斯 ,  H·J·卡斯特里杰恩斯 ,  H·A·格瑞斯 ,  A·H·凯沃特斯 ,  L·M·勒瓦希尔 ,  P·沙普 ,  B·斯特瑞夫科尔克 ,  S·A·特罗普

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制曝光过程以便补偿与曝光过程期间由物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。

公开(公告)号：CN110169206B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880006126.6

申请日：2018-01-05

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·拉贝斯基 ,  C·W·J·贝伦德森 ,  R·M·杜阿特·罗德里格斯·努奈斯 ,  A·I·厄肖夫 ,  K·F·佛斯特拉 ,  I·V·福门科夫 ,  K·M·休姆勒 ,  A·约翰卡达沙姆 ,  M·克劳斯哈尔 ,  A·D·拉弗格 ,  M·G·兰格洛斯 ,  M·洛吉诺夫 ,  马悦 ,  S·莫亚伯 ,  K·纳蒂亚 ,  A·沙塔洛夫 ,  J·T·斯特瓦特 ,  H·G·泰格波什 ,  夏春光

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种辐射源包括：腔室，包括等离子体形成区域；辐射收集器，被布置在腔室中，该辐射收集器被配置为收集在等离子体形成区域处所发射的辐射并且将收集到的辐射导向至中间焦点区域；碎片削减系统，被配置为将来自中间焦点区域的第一气流朝向等离子体形成区域导向；以及引导装置，被布置在腔室中，使得第一气流被导向在引导装置周围。提供了一种用于减少EUV容器的内容器壁的污染的系统和设备。该系统和设备包括：气体的内容器壁供应源，气体的内容器壁供应源经由远离内容器壁的多个喷嘴来引入气体。系统和设备还可选地包括：不对称的排气口，用于在提供促进气体远离内容器壁和EUV容器内的EUV收集器的方向的流动几何形状的同时从EUV容器中排出气体。

公开(公告)号：CN116324625A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180068651.2

申请日：2021-10-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·M·鲁普斯 ,  E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  G·L·加托比焦 ,  C·W·J·贝伦德森

IPC: G03F7/20

Abstract: 本文描述了一种用于光刻设备的流体处理系统，其中流体处理系统被配置成将浸没液体限制于投影系统的一部分与光刻设备中的衬底的表面之间的液体限制空间，由此从投影系统投影的辐射束能够通过穿过浸没液体而照射衬底的表面，流体处理系统包括：阻尼部，阻尼部被布置在第一提取构件与第二提取构件之间，第一提取构件和第二提取构件被配置成提取流体；其中阻尼部被配置成支撑在阻尼部的表面与衬底的表面之间的浸没液体的弯液面。

公开(公告)号：CN111176079B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202010106860.9

申请日：2015-04-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·W·J·贝伦德森 ,  M·贝克斯 ,  H·J·卡斯特里杰恩斯 ,  H·A·格瑞斯 ,  A·H·凯沃特斯 ,  L·M·勒瓦希尔 ,  P·沙普 ,  B·斯特瑞夫科尔克 ,  S·A·特罗普

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制曝光过程以便补偿与曝光过程期间由物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。

公开(公告)号：CN110169206A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201880006126.6

申请日：2018-01-05

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·拉贝斯基 ,  C·W·J·贝伦德森 ,  R·M·杜阿特·罗德里格斯·努奈斯 ,  A·I·厄肖夫 ,  K·F·佛斯特拉 ,  I·V·福门科夫 ,  K·M·休姆勒 ,  A·约翰卡达沙姆 ,  M·克劳斯哈尔 ,  A·D·拉弗格 ,  M·G·兰格洛斯 ,  M·洛吉诺夫 ,  马悦 ,  S·莫亚伯 ,  K·纳蒂亚 ,  A·沙塔洛夫 ,  J·T·斯特瓦特 ,  H·G·泰格波什 ,  夏春光

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种辐射源包括：腔室，包括等离子体形成区域；辐射收集器，被布置在腔室中，该辐射收集器被配置为收集在等离子体形成区域处所发射的辐射并且将收集到的辐射导向至中间焦点区域；碎片削减系统，被配置为将来自中间焦点区域的第一气流朝向等离子体形成区域导向；以及引导装置，被布置在腔室中，使得第一气流被导向在引导装置周围。提供了一种用于减少EUV容器的内容器壁的污染的系统和设备。该系统和设备包括：气体的内容器壁供应源，气体的内容器壁供应源经由远离内容器壁的多个喷嘴来引入气体。系统和设备还可选地包括：不对称的排气口，用于在提供促进气体远离内容器壁和EUV容器内的EUV收集器的方向的流动几何形状的同时从EUV容器中排出气体。

公开(公告)号：CN119301524A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380044258.9

申请日：2023-06-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·W·J·贝伦德森 ,  E·H·E·C·尤梅伦 ,  C·M·洛普斯 ,  G·L·加托比吉奥 ,  E·德容

IPC: G03F7/00

Abstract: 本文公开了一种用于光刻装置的流体处理系统，其中该流体处理系统被配置为将浸没流体限制在该光刻装置中的投射系统的一部分与衬底的表面之间的液体限制空间中，借此从该投射系统投射的辐射束能够通过穿过该浸没流体照射该衬底的该表面，该流体处理系统包括弯液面控制表面，以用于控制该浸没流体的弯液面的运动；其中，在第一操作状态下，该弯液面控制表面被配置为保持该浸没流体的弯液面在该弯液面控制表面与该衬底的该表面之间基本上静止；并且其中，在第二操作状态下，该弯液面控制表面被配置为允许该浸没流体的该弯液面的该运动。

公开(公告)号：CN117202469A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311317803.5

申请日：2018-01-05

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·拉贝斯基 ,  C·W·J·贝伦德森 ,  R·M·杜阿特·罗德里格斯·努奈斯 ,  A·I·厄肖夫 ,  K·F·佛斯特拉 ,  I·V·福门科夫 ,  K·M·休姆勒 ,  A·约翰卡达沙姆 ,  M·克劳斯哈尔 ,  A·D·拉弗格 ,  M·G·兰格洛斯 ,  M·洛吉诺夫 ,  马悦 ,  S·莫亚伯 ,  K·纳蒂亚 ,  A·沙塔洛夫 ,  J·T·斯特瓦特 ,  H·G·泰格波什 ,  夏春光

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种辐射源包括：腔室，包括等离子体形成区域；辐射收集器，被布置在腔室中，该辐射收集器被配置为收集在等离子体形成区域处所发射的辐射并且将收集到的辐射导向至中间焦点区域；碎片削减系统，被配置为将来自中间焦点区域的第一气流朝向等离子体形成区域导向；以及引导装置，被布置在腔室中，使得第一气流被导向在引导装置周围。提供了一种用于减少EUV容器的内容器壁的污染的系统和设备。该系统和设备包括：气体的内容器壁供应源，气体的内容器壁供应源经由远离内容器壁的多个喷嘴来引入气体。系统和设备还可选地包括：不对称的排气口，用于在提供促进气体远离内容器壁和EUV容器内的EUV收集器的方向的流动几何形状的同时从EUV容器中排出气体。

公开(公告)号：CN116348820A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180072474.5

申请日：2021-11-25

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·W·J·贝伦德森 ,  T·W·波莱 ,  E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  G·L·加托比焦 ,  K·库依皮尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 本文公开了一种用于光刻设备的流体处理系统，其中，所述流体处理系统被配置成将浸没液体限制于所述光刻设备中的投影系统的部分与衬底的表面之间的液体限制空间，从而从所述投影系统投影的辐射束能够通过穿过所述浸没液体而照射所述衬底的表面，所述流体处理系统包括：可更换板，所述可更换板具有包括多个流体开口的外表面，所述流体开口被配置成在所述流体处理系统与所述衬底之间的通道中供应和/或抽取浸没液体和/或气体；其中所述外表面被涂覆。

公开(公告)号：CN116096506A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180061113.0

申请日：2021-06-14

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·M·鲁普斯 ,  C·W·J·贝伦德森 ,  E·H·E·C·尤姆麦伦 ,  D·A·维斯梅耶

IPC: B06B1/00

Abstract: 一种光刻设备，具有衬底保持件，被配置成保持衬底，以及投影系统，被配置成将辐射束投影到由衬底保持件保持的衬底上。也具有流体处理系统，被配置成将浸没液体约束于所述投影系统的一部分与所述衬底的所述表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面。设置有激励装置以在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。