公开(公告)号：CN116330766A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310250134.8

申请日：2017-12-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 长尾洋平 ,  山田和夫 ,  山内优 ,  照井弘敏

IPC: B32B17/00 ,  B32B17/06 ,  B32B17/10 ,  B32B15/18 ,  B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B27/34 ,  B32B27/38 ,  B32B27/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/088 ,  B32B15/092 ,  B32B33/00 ,  B32B7/06 ,  B32B43/00 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法，提供一种抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。

公开(公告)号：CN109982834B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201780070626.1

申请日：2017-11-10

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田和夫 ,  长尾洋平

IPC: B32B3/02 ,  B32B17/00 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供一种层叠基板，依次具备支撑基材、密合层和玻璃基板，密合层的端面为凹状，或者密合层具有与玻璃基板接触的中央区域和不与玻璃基板接触的端部区域，在将中央区域的厚度设为T1，将端部区域的厚度设为T2时，满足“T1×2/3＞T2”且在中央区域与端部区域之间具有阶差，或者端面为凹状。

公开(公告)号：CN109070549B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201780026149.9

申请日：2017-04-25

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 佐佐木崇 ,  山田和夫 ,  长尾洋平 ,  内田大辅 ,  下坂鹰典

IPC: B32B17/10 ,  B32B27/00 ,  C03C27/10 ,  C09J11/04 ,  C09J183/04

Abstract: 本发明提供在高温加热处理中树脂层的内聚破坏得到抑制的玻璃层叠体及其制造方法。本发明是依次具备支承基材、有机硅树脂层和玻璃基板的玻璃层叠体，其特征在于，上述有机硅树脂层进行特定的评价，根据Stoney公式而求出的有机硅树脂层的固化温度下的应力σf(C)与500℃下的应力σf(500)的应力差Δσf1为特定范围。

公开(公告)号：CN108248155B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201711435286.6

申请日：2017-12-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田和夫 ,  长尾洋平 ,  照井弘敏 ,  山内优

IPC: B32B17/00 ,  B32B17/10 ,  B32B27/00

Abstract: 本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。本发明提供一种耐发泡性优异的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝、及锡组成的组中的至少1种金属元素。

公开(公告)号：CN112046100A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010499002.5

申请日：2020-06-04

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 川崎周马 ,  长尾洋平

IPC: B32B17/10 ,  B32B27/28 ,  B32B7/06 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B27/06 ,  B32B38/10 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种层叠基板，其具备：玻璃制的支承基材、和配置在所述支承基材上的聚酰亚胺树脂层，在上述聚酰亚胺树脂层的与上述支承基材相反侧的表面上，长边的长度为3μm以上且小于50μm，短边的长度为小于50μm，并且高度为5μm以下的凸部的数量为0.60个/cm2以下，长边的长度为3～1000μm，短边的长度为20μm以下，并且深度为1μm以下的凹部的数量为0.15个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109982834A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780070626.1

申请日：2017-11-10

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田和夫 ,  长尾洋平

IPC: B32B3/02 ,  B32B17/00 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供一种层叠基板，依次具备支撑基材、密合层和玻璃基板，密合层的端面为凹状，或者密合层具有与玻璃基板接触的中央区域和不与玻璃基板接触的端部区域，在将中央区域的厚度设为T1，将端部区域的厚度设为T2时，满足“T1×2/3＞T2”且在中央区域与端部区域之间具有阶差，或者端面为凹状。

公开(公告)号：CN116583400A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180083944.8

申请日：2021-12-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 长尾洋平 ,  染谷武纪

IPC: B32B9/00

Abstract: 接合体包含：第1基材、第2基材、将上述第1基材与上述第2基材接合的无机膜、以及形成于上述第2基材的与接合面相反方向的面的半导体层。上述第1基材是SiO2含量为70mol％以下的玻璃。上述无机膜包含形成于上述第1基材的接合面的氧化硅膜。

公开(公告)号：CN116285864A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310160807.0

申请日：2017-12-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田和夫 ,  长尾洋平 ,  照井弘敏 ,  山内优

IPC: C09J183/04 ,  B32B7/12 ,  B32B17/06 ,  B32B17/10 ,  B32B27/28 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。本发明提供一种耐发泡性优异的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝、及锡组成的组中的至少1种金属元素。

公开(公告)号：CN112046100B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202010499002.5

申请日：2020-06-04

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 川崎周马 ,  长尾洋平

IPC: B32B17/10 ,  B32B27/28 ,  B32B7/06 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B27/06 ,  B32B38/10 ,  H10K50/84 ,  H10K71/00

公开(公告)号：CN108248159B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201711435275.8

申请日：2017-12-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 长尾洋平 ,  山田和夫 ,  山内优 ,  照井弘敏

IPC: B32B17/10 ,  B32B7/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/28 ,  B32B38/10

Abstract: 本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板和电子器件的制造方法，提供一种抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。