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公开(公告)号：CN113093856B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110349641.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 黄山学院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路结构，包括带有补偿网络的带隙基准电压产生电路。为了避免运放失调对基准电路的精度产生影响，本发明所提供的高精度带隙基准电压产生电路，一方面没有采用运放结构，而将与电源无关的偏置电路与晶体管结合，用以产生基准电压；另一方面，利用高阶曲率补偿技术，解决了一阶补偿所固有的温度曲率问题，有效提高了带隙基准的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN113162378B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路。该电路首先采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113093856A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349641.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 黄山学院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路结构，包括带有补偿网络的带隙基准电压产生电路。为了避免运放失调对基准电路的精度产生影响，本发明所提供的高精度带隙基准电压产生电路，一方面没有采用运放结构，而将与电源无关的偏置电路与晶体管结合，用以产生基准电压；另一方面，利用高阶曲率补偿技术，解决了一阶补偿所固有的温度曲率问题，有效提高了带隙基准的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN113054622A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110349720.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 黄山学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路结构图，该电路包括依次连接的：钳位电路、温度检测电路、宽电压范围比较器电路和输出整形电路。本发明所提供的高精度宽电压范围过温保护电路，为克服共模噪声的严重影响，一方面采用宽电压范围比较器电路和温度检测电路自动检测电源电压和衬底电位产生的共模噪声，并在共模噪声超过一定阈值时自动关闭宽电压范围比较器电路的输出，使得比较输出信号的有效性不受共模噪声的影响。另一方面，输出整形电路进一步采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，从而产生稳定可靠的温度保护输出信号。本发明可以广泛应用于各类高压栅驱动芯片中。
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公开(公告)号：CN111464172A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010314887.7
申请日：2020-04-21
Applicant: 黄山学院 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491933A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910790251.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 黄山学院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件，包括：封装外壳、绝缘胶、导电焊料、高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板、第一绑定线、第二绑定线和第三绑定线。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，增加了电压调整电路，保证高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。
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公开(公告)号：CN106953637A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710136303.X
申请日：2017-03-09
Applicant: 黄山学院
Abstract: 本发明提供了一种电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路，所述电荷域幅度误差校准电路包括：电荷域幅度误差检测放大电路、K位电荷域模数转换器、控制电路、ROM模块、SRAM模块以及补偿电路。所述采用电荷域幅度误差校准电路的DDS电路包括：相位累加器、相位幅度转换器、N位电流模DAC、电荷域幅度误差校准电路、时钟产生电路和模式控制电路。所述电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路均可根据系统精度和硬件开销自动折衷选择校准精度和速度，并且具有低功耗特点。
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公开(公告)号：CN106933299A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710135908.7
申请日：2017-03-09
Applicant: 黄山学院
IPC: G06F1/02
CPC classification number: G06F1/022
Abstract: 本发明提供了一种具有幅度和相位误差自校准功能的低功耗DDS电路，该DDS电路包括：电荷域幅度误差检测放大电路、电荷域相位误差检测放大电路、K位电荷域模数转换器、控制电路、ROM模块、SRAM模块、相位累加器、第一延迟电路、相位幅度转换器、第二延迟电路、补偿电路和N位电流模DAC。所述具有幅度和相位误差自校准功能的低功耗DDS电路可根据系统精度和硬件开销自动折衷选择校准精度，并且具有低功耗特点。
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公开(公告)号：CN106301241A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610717387.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 黄山学院
Abstract: 本发明提供了一种新型电压小信号放大电路代替高功耗的基于运放的电压小信号放大电路，所述电荷域电压小信号放大电路包括：两个电荷存储节点、一个连接在两个电荷存储节点之间的电荷传输控制开关、连接到第一电荷存储节点的第一电容、连接到第二电荷存储节点的容值可编程电容、连接到第一电荷存储节点的第一电压传输开关、连接到第一电荷存储节点的第二电压传输开关、连接到第二电荷存储节点的第三电压传输开关和连接到第二电荷存储节点的第四电压传输开关。该电荷域电压小信号放大电路可以广泛应用于各类电压信号的检测和放大系统中。
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公开(公告)号：CN113098458B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110349766.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 黄山学院
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，该电路包括：输入接收电路、X级前后级联的共模可调放大电路CM1～CMX、高灵敏度共模可调放大电路CMN、输出整形电路和共模自适应调整电路。本发明所提供的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。另一方面，输出整形电路进一步采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，从而产生稳定数据输出。本发明可以广泛应用于各类高压绝缘隔离栅驱动芯片和数据隔离器中。
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