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公开(公告)号：CN104956577A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480005857.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H02M3/156
CPC classification number: G05F1/618 , H02M3/156 , H02M3/1563 , H02M2001/0009
Abstract: 用于向处于反向升压模式的降压转换器的控制环提供负电流信息的技术。在一方面，流过电感器的负电流以及正电流被感测并被提供以在该降压转换器的控制环中调整斜坡电压。该技术可防止反向升压模式期间流过电感器的电流变得无限制地越来越负；由此该技术减小当目标输出电压从第一电平降低到第二电平时的稳定时间。在一方面，负电流感测可通过感测流过该降压转换器的充电开关(或PMOS开关)的负电流来提供。可从用于生成斜坡电压的电流中减去所感测的负电流。
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公开(公告)号：CN104937837A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005871.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03G1/0005 , H03F1/0238
Abstract: 用于防止应用中的逆电流的技术，其中与开关功率级并联地放置跟踪供电电压。该跟踪供电电压可使用例如升压转换器来被推升至高于电池供电电压的电平。在一方面，提供负电流检测块以检测从经推升的跟踪供电电压至电池供电电压的负电流流动。可响应于检测到负电流来禁用开关功率级的高侧开关。为了防止误脱扣，可将跟踪供电电压与电池供电电压进行进一步比较，并且可提供锁存器以进一步控制高侧开关。
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公开(公告)号：CN104396143B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201380034402.7
申请日：2013-07-26
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H03K17/145 , H03K17/063
Abstract: 公开了一种可为MOSFET生成具有温度补偿的栅极偏置电压的自适应栅极驱动电路。该自适应栅极驱动电路可生成具有可变驱动能力的栅极偏置电压以对抗MOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。在一种设计中，一种装置包括控制电路和栅极驱动电路。该控制电路生成具有可变频率的至少一个控制信号，该可变频率是基于MOSFET的感测温度来确定的。例如，可基于MOSFET的感测温度来确定时钟分频比，可基于该时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得可变时钟信号，并且可基于该可变时钟信号来生成控制信号。栅极驱动电路基于该控制信号来生成用于MOSFET的偏置电压。
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公开(公告)号：CN104956588B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201480005884.8
申请日：2014-01-21
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/0227 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/451
Abstract: 用于动态地生成包络跟踪系统的净空电压的技术。在一方面，当来自功率放大器(PA)的信号指示PA净空不充足时，初始净空电压被更新。初始净空电压可以被更新为包括初始电压加上亏量电压加上一余量的操作净空电压。以此方式，操作净空电压可以被动态地选择为使功耗最小化同时仍然确保PA是线性的。在又一方面，描述了使用计数器的净空电压生成器的具体示例性实施例。
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公开(公告)号：CN104937826B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480005691.2
申请日：2014-01-23
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H04B15/00 , G05F1/10 , H02M1/12 , H02M1/44 , H02M3/156 , H03F1/0211 , H03F3/217 , H03F2200/432
Abstract: 用于在由开关电路系统生成的输出电压的功率密度谱中创建一个或多个陷波频率的技术。在一方面，高侧和低侧开关经由电感器耦合至输出电压。估计输出电压在一个或多个频率处的频谱功率，并且将所估计的频谱功率提供给控制开关的开关控制器。开关控制器可被配置成仅响应于检测到陷波频率处的所估计频谱功率处于最小值而切换开关。在某些示例性方面，这些技术可被纳入在包络跟踪系统中，其中开关电路系统形成向功率放大器负载提供低频功率的开关模式电源(SMPS)的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104956588A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480005884.8
申请日：2014-01-21
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/0227 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/451
Abstract: 用于动态地生成包络跟踪系统的净空电压的技术。在一方面，当来自功率放大器(PA)的信号指示PA净空不充足时，初始净空电压被更新。初始净空电压可以被更新为包括初始电压加上亏量电压加上一余量的操作净空电压。以此方式，操作净空电压可以被动态地选择为使功耗最小化同时仍然确保PA是线性的。在又一方面，描述了使用计数器的净空电压生成器的具体示例性实施例。
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公开(公告)号：CN103597760A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028238.4
申请日：2012-06-24
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H04B15/005 , H04B1/0475 , H04B1/0483
Abstract: 公开了用于执行噪声消除/衰减的技术。在一种设计中，一装置包括电源发生器，其具有转换开关、耦合电路、包络放大器、和反馈电路。转换开关为负载（例如，功率放大器）生成供电电压的DC和低频分量，并且包络放大器为负载生成该供电电压的高频分量。转换开关接收第一供电电压并提供具有转换开关噪声的转换开关输出信号。耦合电路接收转换开关输出信号并提供具有该转换开关噪声的第一版本的第一输出信号。反馈电路接收该转换开关输出信号并提供反馈信号。包络放大器接收包络信号和该反馈信号并提供具有转换开关噪声的第二版本的第二输出信号，该转换开关噪声的第二版本被用来在负载处衰减该转换开关噪声的第一版本。
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公开(公告)号：CN108027879A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053787.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G06K9/00
CPC classification number: A61B8/5269 , A61B8/14 , A61B8/4494 , G06K9/0002
Abstract: 公开了用于生成DC像素电压的装置和方法。该装置包括：放大器，其被配置为放大输入信号以生成电压信号，其中输入信号响应于从待成像物体反射并经由压电层传播的超声波而生成；降噪电路，其被配置为将电压信号从放大器的输出传递到节点，同时减少从放大器的输出到节点的噪声的传播；以及电路，其被配置为基于噪声降低的电压信号来生成DC像素电压。
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公开(公告)号：CN104904116B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480004422.4
申请日：2014-01-10
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: G05F3/02 , H02M3/155 , H02M3/1582 , H02M2001/008 , H03F1/0238
Abstract: 用于从降压转换器时钟信号生成用于升压转换器的升压时钟信号的技术，其中所述升压时钟信号具有受限的频率范围。在一方面，所述升压时钟信号具有由Vbst/T确定的最大频率，其中Vbst表示目标输出电压和电池电压之间的差异，且T表示预定周期历时。该升压转换器可包括用于限制该升压时钟信号的最小频率的脉冲插入块，以及被用于限制该升压时钟信号的最大频率的动态留白/延迟块。公开了用于一般性地实现最小频率限制块和最大频率限制块的进一步技术。
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