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公开(公告)号：CN107431086B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201680019283.1
申请日：2016-02-03
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 鳍式半导体器件包括栅极结构和源极/漏极结构。鳍式半导体器件还包括耦合到栅极结构的栅极硬掩模结构。栅极硬掩模结构包括第一材料。鳍式半导体器件还包括耦合到源极/漏极结构的源极/漏极硬掩模结构。源极/漏极硬掩模结构包括第二材料，其蚀刻选择性不同于第一材料。
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公开(公告)号：CN109478551A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045998.9
申请日：2017-06-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , G06F17/50 , H01L23/528 , H01L27/118
摘要： 公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面，提供了一种标准单元电路，其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用，其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。
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公开(公告)号：CN109155286A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029737.8
申请日：2017-04-17
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/02
摘要： 一种异构单元阵列包括第一列单元和第二列单元。第一列单元包括具有第一面积的第一单元和具有第一面积的第二单元。第一单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管，并且第二单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二列单元包括具有第二面积的第三单元。第三单元与第一单元和第二单元相邻，并且第三单元包括具有第二数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二面积大于第一面积，并且鳍部的第二数目大于鳍部的第一数目。
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公开(公告)号：CN107257943A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201680010706.3
申请日：2016-02-15
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L21/76802 , G03F1/14 , G03F7/203 , G03F7/70425 , G03F7/70433 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , G06F17/5077 , H01L21/31116 , H01L23/535
摘要： 公开了基于电子束(e‑beam)的半导体器件特征。在特定方面，一种方法包括执行第一光刻工艺以在半导体器件上制造第一组切割图案特征。第一组切割图案特征中的每个特征的从特征到有源区域的距离大于或等于阈值距离。该方法还包括执行电子束(e‑beam)工艺以在半导体器件上制造第二切割图案特征。第二切割图案特征的从第二切割图案特征到有源区域的第二距离小于或等于阈值距离。
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公开(公告)号：CN118039636A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410296056.X
申请日：2017-06-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/118 , H01L21/768 , G06F30/392
摘要： 公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面，提供了一种标准单元电路，其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用，其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。
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公开(公告)号：CN109478551B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201780045998.9
申请日：2017-06-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , G06F30/32 , H01L23/528 , H01L27/118
摘要： 公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面，提供了一种标准单元电路，其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用，其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。
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公开(公告)号：CN110494978A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024731.6
申请日：2018-04-11
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/118
摘要： 公开了一种金属氧化物半导体(MOS)标准单元，其采用电耦合源极区和电源轨来放宽相邻MOS标准单元之间的源极-漏极端到端间距。在一个方面中，MOS标准单元包括设置在第一金属层中并且沿着X轴方向上的相应轴设置的电源轨。MOS标准单元包括设置在第一金属层中并且沿着X轴方向上的相应轴设置的金属线。MOS标准单元包括形成在第一金属层下方的半导体衬底中并且与设置在电源轨和源极区之间的X-Z轴方向中的平面相邻的源极区。源极区电耦合至对应电源轨。以这种方式形成源极区允许MOS标准单元设置为与其他MOS标准单元相邻，同时实现最小所需源极-漏极端到端间距。
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公开(公告)号：CN109155286B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201780029737.8
申请日：2017-04-17
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/02
摘要： 一种异构单元阵列包括第一列单元和第二列单元。第一列单元包括具有第一面积的第一单元和具有第一面积的第二单元。第一单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管，并且第二单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二列单元包括具有第二面积的第三单元。第三单元与第一单元和第二单元相邻，并且第三单元包括具有第二数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二面积大于第一面积，并且鳍部的第二数目大于鳍部的第一数目。
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公开(公告)号：CN107431086A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019283.1
申请日：2016-02-03
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 鳍式半导体器件包括栅极结构和源极/漏极结构。鳍式半导体器件还包括耦合到栅极结构的栅极硬掩模结构。栅极硬掩模结构包括第一材料。鳍式半导体器件还包括耦合到源极/漏极结构的源极/漏极硬掩模结构。源极/漏极硬掩模结构包括第二材料，其蚀刻选择性不同于第一材料。
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