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公开(公告)号：CN101365258A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810146111.8
申请日：2008-08-06
申请人： 雅马哈株式会社
IPC分类号： H04R19/04
CPC分类号： H04R19/005 , H04R31/00
摘要： 一种电容式传声器，包括基板、隔膜、板件和支承结构，其中，基板在后腔中具有开口，隔膜中心部和从中心部沿径向方向延伸的多个臂，板件被定位为与隔膜相对，支承结构用于将隔膜的周边和板件的周边支承在基板上方同时使具有导电特性的隔膜和板件彼此绝缘。支承结构在基板、隔膜和板件之间形成多个间隙。具有绝缘特性的突出部形成在隔膜的中心部和多个臂中，以便朝向基板凸伸并且沿隔膜的圆周方向被彼此分隔开。这防止隔膜意外地贴附和固定到基板，由此改善电容式传声器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN100358116C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN03158763.1
申请日：2003-09-24
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 铃木民人
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L21/28273 , H01L21/32137 , H01L27/105 , H01L27/1085 , H01L27/11541
摘要： 本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl2蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0-10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。
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公开(公告)号：CN101468785A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188488.X
申请日：2008-12-26
申请人： 雅马哈株式会社
摘要： 一种MEMS换能器，包括：隔膜、板件、用于对二者之间具有由内壁围绕的间隙层的隔膜和板件进行支承的支承结构，用于覆盖形成在支承结构中的接触孔的电极膜(例如，垫式导电膜)，以及在内壁之外形成在支承结构上以便覆盖具有低化学稳定性的电极膜侧表面的保护膜(例如，垫式保护膜)。保护膜形成在有限区域中，该有限区域包括电极膜除了其中心部分的一部分表面和电极膜的周围区域。这允许保护膜利用诸如氮化硅或氮化硅氧化物这样的高膜应力材料。
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公开(公告)号：CN101400012A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161783.6
申请日：2008-09-26
申请人： 雅马哈株式会社
摘要： 本发明提供了一种振动传感器及其制造方法。该振动传感器由基板、具有导电特性的膜片、具有导电特性的板和具有柱形的多个第一分隔物构成，其中多个第一分隔物采用接合板的具有绝缘特性的沉积膜形成以便相对于膜片支撑板，在膜片和板之间具有间隙。可以引入具有柱形的多个第二分隔物和具有柱形的多个第三分隔物，其中多个第二分隔物相对于基板支撑板且在基板和板之间具有间隙，多个第三分隔物相对于基板支撑膜片而且在基板和膜片之间具有间隙。当膜片相对于板振动时，两者之间形成的静电电容改变以便以高灵敏度探测振动。膜片具有多个其轮廓被弯曲的臂使得其居间区域在宽度上减小。
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公开(公告)号：CN1755327B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200510108704.1
申请日：2005-09-28
申请人： 雅马哈株式会社
CPC分类号： G01R33/0283
摘要： 本发明提供一种传感器，该传感器包括固定在衬底上的第一X轴GMR元件至第四X轴GMR元件、以及支撑在该衬底上的可动线圈。当电流流经该可动线圈时，在该可动线圈周围产生磁场。产生的该磁场施加到该第一至第四X轴GMR元件。该可动线圈根据传感器中产生的加速度而移动。该可动线圈的移动导致施加到该第一至第四X轴GMR元件的磁场的改变。当没有电流流到该可动线圈时，该传感器基于该第一至第四X轴GMR元件的电阻测量外磁场。当恒定电流流经该可动线圈时，该传感器基于该第一至第四X轴GMR元件的电阻测量加速度等。
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公开(公告)号：CN101409856A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810165852.0
申请日：2008-09-25
申请人： 雅马哈株式会社
IPC分类号： H04R19/00
摘要： 一种振动换能器，包括：基板；用具有导电性能的沉积膜形成的隔膜，该隔膜具有沿径向方向从中心部分延伸的多个臂；用具有导电性能的沉积膜形成的板；和用沉积膜形成的多个隔膜支承件，所述隔膜支承件连结臂，以便将隔膜支承在基板上方且二者之间具有指定间隙。多个凸块形成在隔膜的臂中，以便防止隔膜贴附到基板或板。当隔膜相对于板振动时，在二者之间的静电电容变化，以便检测施加于其上的压力的变化。此外，多个隔膜孔适当地排列在隔膜的臂中，以便改善灵敏性同时避免贴附的发生。
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公开(公告)号：CN1494117A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03158763.1
申请日：2003-09-24
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 铃木民人
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L21/28273 , H01L21/32137 , H01L27/105 , H01L27/1085 , H01L27/11541
摘要： 本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl2蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0－10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。
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公开(公告)号：CN101189910A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019735.2
申请日：2006-09-07
申请人： 雅马哈株式会社
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 一种电容式传声器包括具有固定电极的圆形板；具有中央部分和至少一个近端部分的隔膜电极，其中该中央部分与固定电极相关定位且随声波振动，并且刚度与近端部件相比有所增加，近端部分固定在隔膜电极的外侧周边；以及固定在板和隔膜的近端部分上的间隔物，并且该间隔物具有形成于隔膜和板之间空气间隙。替代地，隔膜电极由从圆形板延伸的延伸臂水平支承，并且所述隔膜电极垂直的保持在悬挂状态并与固定电极分开一段可控距离。
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公开(公告)号：CN1942022A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159207.9
申请日：2006-09-22
申请人： 雅马哈株式会社
摘要： 在电容器传声器中，隔膜相对于固定电极设置，固定电极用于覆盖环状支撑的多个内孔，其中当由于施加偏压导致的静电吸引而使隔膜偏转以接近固定电极时，在隔膜上产生的内应力被预先施加到隔膜的压缩应力抵消。隔膜使用多层结构形成，该多层结构包括第一薄膜和第二薄膜，第二薄膜的内应力与第一薄膜的内应力不同，由此调整了其总的内应力。隔膜如此形成，使得在第一涂层和第二涂层之间夹置具有单层结构的中心层，第一和第二涂层具有受控制的残余张力和耐氢氟酸性。
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公开(公告)号：CN1755327A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510108704.1
申请日：2005-09-28
申请人： 雅马哈株式会社
CPC分类号： G01R33/0283
摘要： 本发明提供一种传感器，该传感器包括固定在衬底上的第一X轴GMR元件至第四X轴GMR元件、以及支撑在该衬底上的可动线圈。当电流流经该可动线圈时，在该可动线圈周围产生磁场。产生的该磁场施加到该第一至第四X轴GMR元件。该可动线圈根据传感器中产生的加速度而移动。该可动线圈的移动导致施加到该第一至第四X轴GMR元件的磁场的改变。当没有电流流到该可动线圈时，该传感器基于该第一至第四X轴GMR元件的电阻测量外磁场。当恒定电流流经该可动线圈时，该传感器基于该第一至第四X轴GMR元件的电阻测量加速度等。
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