公开(公告)号：CN110088207B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201780080034.8

申请日：2017-11-02

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 竹内香须美 ,  水上真弓 ,  森田好次

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/5425 ,  C08L83/05 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56 ,  C08G77/20

Abstract: [问题]提供一种具有极佳可固化性并产生具有高耐热冲击性和低气体渗透率的固化产物的可固化硅酮组合物。另外，提供一种光学半导体装置，通过将可固化硅酮组合物应用于所述光学半导体装置，所述光学半导体装置具有例如极佳耐热冲击性和持久高发光效率的优点。[解决方案]一种可固化硅酮组合物，其包含具有烷基苯基乙烯基硅氧烷单元(R2R3R4SiO1/2，其中R2表示烷基，例如甲基，R3表示苯基，并且R4表示烯基，例如乙烯基)的有机聚硅氧烷，和相对于总组合物超过0.0质量％但小于3.0质量％的量的1,3‑二乙烯基‑1,3‑二苯基‑1,3‑二甲基二硅氧烷；以及一种使用其的光学半导体装置。

公开(公告)号：CN110603295A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880029981.9

申请日：2018-05-02

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 尼子雅章 ,  水上真弓 ,  赤坂昌保 ,  津田武明

IPC: C08L83/04 ,  B32B27/00 ,  C08G77/44 ,  C08K7/22 ,  H01L33/56

Abstract: 课题：本发明提供固体有机硅材料、使用其的层积体等，容易以均匀的纳米级的膜厚进行薄膜化，通过配置在作为发光器件的层积体与空气的界面，能够改善光取出效率等。解决方案：该固体有机硅材料含有：(A)数均粒径1～100nm的中空或多孔质的无机微粒、和(B)在分子内具有由RASiO3/2(式中，RA为碳原子数6～14的芳基)表示的芳基硅氧烷单元和由(R2SiO2/2)n(式中，R为可以被卤原子取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基、n为3～1000的范围的数)表示的聚二有机硅氧烷结构的有机聚硅氧烷，成分(A)的含量为10～95质量％的范围。

公开(公告)号：CN110088207A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780080034.8

申请日：2017-11-02

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 竹内香须美 ,  水上真弓 ,  森田好次

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/5425 ,  C08L83/05 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56 ,  C08G77/20

Abstract: 提供一种具有极佳可固化性并产生具有高耐热冲击性和低气体渗透率的固化产物的可固化硅酮组合物。另外，提供一种光学半导体装置，通过将可固化硅酮组合物应用于所述光学半导体装置，所述光学半导体装置具有例如极佳耐热冲击性和持久高发光效率的优点。一种可固化硅酮组合物，其包含具有烷基苯基乙烯基硅氧烷单元(R2R3R4SiO1/2，其中R2表示烷基，例如甲基，R3表示苯基，并且R4表示烯基，例如乙烯基)的有机聚硅氧烷，和相对于总组合物超过0.0质量％但小于3.0质量％的量的1,3-二乙烯基-1,3-二苯基-1,3-二甲基二硅氧烷；以及一种使用其的光学半导体装置。