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公开(公告)号：CN109841697B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910252727.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，并通过低温退火(Se的熔点附近)，使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而得到一种结晶性良好的CuO/Se复合材料薄膜，以该薄膜作为太阳能电池的p型材料层，制作太阳能电池。该太阳能电池结合了CuO对光强吸收、带隙合适，Se的熔点低、适合低温制备和处理且具有强的光敏性的优点，克服了CuO熔点高且高温分解，Se带隙过大(约1.8eV)的缺点，显著提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN109913814A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910244517.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铜/硒复合材料薄膜，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，从而得到晶性良好，光、电及光电性能优异的薄膜材料。本发明将Se引入CuO，并通过低温退火使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而提高薄膜的晶性、光、电及光电性能，克服了CuO结晶性差、熔点高且高温分解的缺点，在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108611618A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810817871.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积铁膜和氧化铁膜的方法，通过在靶枪和铁靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铝圆片、铜圆片等，来降低铁靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积铁膜及氧化铁膜。本发明方法操作简单，制得的铁膜及氧化铁膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好，制得的铁膜具有较好的铁电特性。
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公开(公告)号：CN109913814B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910244517.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铜/硒复合材料薄膜，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，从而得到晶性良好，光、电及光电性能优异的薄膜材料。本发明将Se引入CuO，并通过低温退火使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而提高薄膜的晶性、光、电及光电性能，克服了CuO结晶性差、熔点高且高温分解的缺点，在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108611617A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810808961.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低钴靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单，制得的钴膜及氧化钴膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108832005A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810664717.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单源热蒸发法制备高效率CsPbBr3无机钙钛矿电池的方法，该方法先将PbBr2与CsBr按一定的摩尔比混合后压片，制成片状CsPbBr3，然后以该片状CsPbBr3为蒸镀原料，采用单源热蒸发法制备CsPbBr3薄膜，从而制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。本发明方法操作简单，开始蒸镀前不需要花费时间将两种前驱体PbBr2和CsBr的蒸发速率准确地调至特定速率比，同时也解决了双源共蒸法在蒸镀过程中长时间保持两种前驱体的一定蒸发速率比困难的问题，两种源材料按一定比例同时从一个蒸发源蒸发出来，从而容易地沉积出高质量的CsPbBr3薄膜及制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。
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公开(公告)号：CN108832005B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810664717.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单源热蒸发法制备高效率CsPbBr3无机钙钛矿电池的方法，该方法先将PbBr2与CsBr按一定的摩尔比混合后压片，制成片状CsPbBr3，然后以该片状CsPbBr3为蒸镀原料，采用单源热蒸发法制备CsPbBr3薄膜，从而制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。本发明方法操作简单，开始蒸镀前不需要花费时间将两种前驱体PbBr2和CsBr的蒸发速率准确地调至特定速率比，同时也解决了双源共蒸法在蒸镀过程中长时间保持两种前驱体的一定蒸发速率比困难的问题，两种源材料按一定比例同时从一个蒸发源蒸发出来，从而容易地沉积出高质量的CsPbBr3薄膜及制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。
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公开(公告)号：CN109841697A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910252727.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，并通过低温退火(Se的熔点附近)，使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而得到一种结晶性良好的CuO/Se复合材料薄膜，以该薄膜作为太阳能电池的p型材料层，制作太阳能电池。该太阳能电池结合了CuO对光强吸收、带隙合适，Se的熔点低、适合低温制备和处理且具有强的光敏性的优点，克服了CuO熔点高且高温分解，Se带隙过大(约1.8eV)的缺点，显著提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN108796449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810664742.2
申请日：2018-06-25
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用单源热蒸发制备CH3NH3PbI3薄膜的方法，先将CH3NH3I和PbI2按一定的摩尔比混合后压片，制成片状CH3NH3PbI3，然后以该片状CH3NH3PbI3为蒸镀原料，采用单源热蒸发法制备CH3NH3PbI3薄膜。本发明方法操作简单，蒸镀前不需要花费时间将两种前驱体CH3NH3I和PbI2的蒸发速率准确地调至特定速率比，蒸镀时源材料从一个蒸发源蒸发出来沉积薄膜，同时也解决了双源共蒸法在蒸镀过程中长时间保持两种前驱体的一定蒸发速率比困难的问题，从而容易地沉积出高质量的CH3NH3PbI3薄膜。
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公开(公告)号：CN108531878A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810808958.1
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积镍膜和氧化镍膜的方法，通过在靶枪和镍靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低镍靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积镍膜及氧化镍膜。本发明方法操作简单，制得的镍膜及氧化镍膜致密，且均匀性好，膜层结合较为牢固。
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