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公开(公告)号：CN108611617A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810808961.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低钴靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单，制得的钴膜及氧化钴膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好。
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公开(公告)号：CN107134531B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710329080.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。
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公开(公告)号：CN108611618A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810817871.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积铁膜和氧化铁膜的方法，通过在靶枪和铁靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铝圆片、铜圆片等，来降低铁靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积铁膜及氧化铁膜。本发明方法操作简单，制得的铁膜及氧化铁膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好，制得的铁膜具有较好的铁电特性。
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公开(公告)号：CN108832005B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810664717.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单源热蒸发法制备高效率CsPbBr3无机钙钛矿电池的方法，该方法先将PbBr2与CsBr按一定的摩尔比混合后压片，制成片状CsPbBr3，然后以该片状CsPbBr3为蒸镀原料，采用单源热蒸发法制备CsPbBr3薄膜，从而制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。本发明方法操作简单，开始蒸镀前不需要花费时间将两种前驱体PbBr2和CsBr的蒸发速率准确地调至特定速率比，同时也解决了双源共蒸法在蒸镀过程中长时间保持两种前驱体的一定蒸发速率比困难的问题，两种源材料按一定比例同时从一个蒸发源蒸发出来，从而容易地沉积出高质量的CsPbBr3薄膜及制作出高效率的CsPbBr3无机钙钛矿电池。
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公开(公告)号：CN108796449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810664742.2
申请日：2018-06-25
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用单源热蒸发制备CH3NH3PbI3薄膜的方法，先将CH3NH3I和PbI2按一定的摩尔比混合后压片，制成片状CH3NH3PbI3，然后以该片状CH3NH3PbI3为蒸镀原料，采用单源热蒸发法制备CH3NH3PbI3薄膜。本发明方法操作简单，蒸镀前不需要花费时间将两种前驱体CH3NH3I和PbI2的蒸发速率准确地调至特定速率比，蒸镀时源材料从一个蒸发源蒸发出来沉积薄膜，同时也解决了双源共蒸法在蒸镀过程中长时间保持两种前驱体的一定蒸发速率比困难的问题，从而容易地沉积出高质量的CH3NH3PbI3薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108531878A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810808958.1
申请日：2018-07-23
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射沉积镍膜和氧化镍膜的方法，通过在靶枪和镍靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低镍靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积镍膜及氧化镍膜。本发明方法操作简单，制得的镍膜及氧化镍膜致密，且均匀性好，膜层结合较为牢固。
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公开(公告)号：CN107134531A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710329080.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。
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公开(公告)号：CN107134505A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710221511.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光产生热电子电流的方法，该方法利用简单易得的三角形铜箔和容易制备的氧化锌掺铝薄膜之间的物理接触，然后利用氦氖激光照射三角形铜箔与薄膜表面接触角的角尖，激发铜箔表面产生表面等离子体激元，通过表面等离子体的电磁衰减在铜箔表面产生高能的热电子，通过金属铜和半导体之间合适的势垒，产生热电子电流。本发明通过调节三角形铜箔与薄膜表面接触角的角度，即可实现不同效率的光转化热电子电流，方法简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN107118110B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710329087.0
申请日：2017-05-11
Applicant: 陕西师范大学
IPC: C07C209/86 , C07C211/04 , C07F7/24 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法，该方法在钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液常温刮涂结束后，将电极置于衬底两端的钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液上，使用恒流电源给钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液通电，使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液在电流的作用下结晶，即可得到钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜。本发明操作简单，刮涂过程不需要加热，只需施加电流即可使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液快速结晶，刮涂后也不需要退火，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN107134505B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710221511.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光产生热电子电流的方法，该方法利用简单易得的三角形铜箔和容易制备的氧化锌掺铝薄膜之间的物理接触，然后利用氦氖激光照射三角形铜箔与薄膜表面接触角的角尖，激发铜箔表面产生表面等离子体激元，通过表面等离子体的电磁衰减在铜箔表面产生高能的热电子，通过金属铜和半导体之间合适的势垒，产生热电子电流。本发明通过调节三角形铜箔与薄膜表面接触角的角度，即可实现不同效率的光转化热电子电流，方法简单，易于集成。
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