公开(公告)号：CN111540781B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202010391082.2

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN107731902B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201710950144.7

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。

公开(公告)号：CN105229207A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480009187.X

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/267 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm-3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN105122456B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201480009119.3

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783

摘要： 常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。

公开(公告)号：CN107799583A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710991535.3

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm-3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN111540781A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010391082.2

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm-3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN108807507A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810585594.5

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN107731902A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710950144.7

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。

公开(公告)号：CN105122456A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480009119.3

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783

摘要： 常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。

公开(公告)号：CN107799583B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710991535.3

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。