Invention Grant
- Patent Title: 在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂
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Application No.: CN201710991535.3Application Date: 2014-02-14
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Publication No.: CN107799583BPublication Date: 2023-04-07
- Inventor: S·吕特根 , S·穆拉德 , A·基特尼斯
- Applicant: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Applicant Address: 德国海尔伯隆
- Assignee: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Current Assignee: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国海尔伯隆
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 李振东; 过晓东
- Main IPC: H01L29/10
- IPC: H01L29/10 ; H01L29/15 ; H01L29/20 ; H01L29/205 ; H01L29/207 ; H01L29/36 ; H01L29/778 ; H01L29/872 ; H01L21/02 ; H01L33/00
Abstract:
本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。
Public/Granted literature
- CN107799583A 在异质基底上的第III 族氮化物缓冲层结构的p 型掺杂 Public/Granted day:2018-03-13
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IPC分类:
