Invention Grant
- Patent Title: 第III族氮化物常关晶体管的层结构
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Application No.: CN201710950144.7Application Date: 2014-02-14
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Publication No.: CN107731902BPublication Date: 2021-02-19
- Inventor: S·吕特根 , S·穆拉德
- Applicant: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Applicant Address: 德国海尔伯隆
- Assignee: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Current Assignee: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国海尔伯隆
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 李振东; 过晓东
- Priority: 13155547.6 2013.02.15 EP
- Main IPC: H01L29/10
- IPC: H01L29/10 ; H01L29/20 ; H01L29/778
Abstract:
常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。
Public/Granted literature
- CN107731902A 第III 族氮化物常关晶体管的层结构 Public/Granted day:2018-02-23
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IPC分类:
