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公开(公告)号：CN105474140B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480044544.6
申请日：2014-07-15
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01B1/22 , H03K17/962
Abstract: 本发明提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件的布图方法。所述布图方法使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111406A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073163.5
申请日：2015-10-29
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器，提供如下电容式传感器：该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案，其中，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；和多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出，检测图案中的至少一个检测电极包括电流路径设定部，该电流路径设定部延长从检测电极朝向引出布线的电流的直线路径长度。
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公开(公告)号：CN107111402A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580072637.4
申请日：2015-10-29
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器，提供如下电容式传感器：该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案，其中，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出；以及电阻设定部，其与多条引出布线中的至少任一方连接，且包括沿着与第一方向不平行的方向延伸出的部分。
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公开(公告)号：CN104919540B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380058038.8
申请日：2013-11-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01L31/0224 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/0021 , H01L51/102 , H01L51/442 , H01L51/5206 , H05K1/09 , H05K3/388 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , H05K2201/0338 , H05K2201/10128 , Y02E10/50 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的尤其在于，提供能够提高透明导电膜与金属膜之间的密合性的导电体及其制造方法。导电体(1)的特征在于，具有形成于透明基材(2)上的含有银纳米线的透明导电膜(3)、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜(5)，在透明导电膜(3)与金属膜(5)重叠的部分具有缓冲膜(4)，所述缓冲膜(4)对透明导电膜(3)和金属膜(5)均具有密合性，并且不阻碍透明导电膜(3)和金属膜(5)之间的导通。缓冲膜(4)例如为ITO膜，此时透明导电膜(3)的上表面(3a)优选为逆溅射面。
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公开(公告)号：CN105474140A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480044544.6
申请日：2014-07-15
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01B1/22 , H03K17/962
Abstract: 本发明提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件及其布图方法。使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。
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公开(公告)号：CN104919540A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380058038.8
申请日：2013-11-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01L31/0224 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/0021 , H01L51/102 , H01L51/442 , H01L51/5206 , H05K1/09 , H05K3/388 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , H05K2201/0338 , H05K2201/10128 , Y02E10/50 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的尤其在于，提供能够提高透明导电膜与金属膜之间的密合性的导电体及其制造方法。导电体(1)的特征在于，具有形成于透明基材(2)上的含有银纳米线的透明导电膜(3)、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜(5)，在透明导电膜(3)与金属膜(5)重叠的部分具有缓冲膜(4)，所述缓冲膜(4)对透明导电膜(3)和金属膜(5)均具有密合性，并且不阻碍透明导电膜(3)和金属膜(5)之间的导通。缓冲膜(4)例如为ITO膜，此时透明导电膜(3)的上表面(3a)优选为逆溅射面。
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