公开(公告)号：CN104919540B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380058038.8

申请日：2013-11-07

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 阿部惟 ,  田口好弘 ,  尾藤三津雄 ,  浅部喜幸 ,  北村恭志 ,  山井知行 ,  小熊浩司 ,  大场知文

IPC: H01B5/14 ,  B82Y30/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/102 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5206 ,  H05K1/09 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10128 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的目的尤其在于，提供能够提高透明导电膜与金属膜之间的密合性的导电体及其制造方法。导电体(1)的特征在于，具有形成于透明基材(2)上的含有银纳米线的透明导电膜(3)、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜(5)，在透明导电膜(3)与金属膜(5)重叠的部分具有缓冲膜(4)，所述缓冲膜(4)对透明导电膜(3)和金属膜(5)均具有密合性，并且不阻碍透明导电膜(3)和金属膜(5)之间的导通。缓冲膜(4)例如为ITO膜，此时透明导电膜(3)的上表面(3a)优选为逆溅射面。

公开(公告)号：CN104919540A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380058038.8

申请日：2013-11-07

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 阿部惟 ,  田口好弘 ,  尾藤三津雄 ,  浅部喜幸 ,  北村恭志 ,  山井知行 ,  小熊浩司 ,  大场知文

IPC: H01B5/14 ,  B82Y30/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/102 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5206 ,  H05K1/09 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10128 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的目的尤其在于，提供能够提高透明导电膜与金属膜之间的密合性的导电体及其制造方法。导电体(1)的特征在于，具有形成于透明基材(2)上的含有银纳米线的透明导电膜(3)、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜(5)，在透明导电膜(3)与金属膜(5)重叠的部分具有缓冲膜(4)，所述缓冲膜(4)对透明导电膜(3)和金属膜(5)均具有密合性，并且不阻碍透明导电膜(3)和金属膜(5)之间的导通。缓冲膜(4)例如为ITO膜，此时透明导电膜(3)的上表面(3a)优选为逆溅射面。