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公开(公告)号：CN111403396A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010395774.4
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN111279481B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080000132.8
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN111279481A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202080000132.8
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN114388529A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210059549.2
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L21/28
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN111403396B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010395774.4
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN114242732A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111563898.X
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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