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公开(公告)号：CN114242732A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111563898.X
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN112420731A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011284960.7
申请日：2020-11-17
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本发明提供一种在深孔中形成薄膜层的方法，所述方法包括：提供形成有所述深孔的基底并将所述基底置入沉积室；采用原子层沉积工艺向沉积室内通入反应源，持续若干时间；停止向所述沉积室内通入反应源，并密闭所述沉积室若干时间，以在所述深孔侧壁形成薄膜层。本发明的优点在于，在停止向沉积室内通入反应源后，密闭所述沉积室若干时间，使得未参与反应的反应源停留在沉积室内。在所述沉积室被密闭后，所述沉积室内形成高压环境，则在压力的作用下，未发生反应的反应源会朝向深孔的底部方向流动，从而在所述深孔底部未发生沉积的区域沉积，且所述反应源能够均匀地分布，进而能够在所述深孔中形成厚度均匀、高质量的薄膜。
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公开(公告)号：CN112420729B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011227182.8
申请日：2020-11-06
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，存储器件包括衬底；位于衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿所述叠层结构的沟道孔；位于所述沟道孔中的沟道结构以及覆盖所述沟道结构的填充层；其中，所述填充层通过多次沉积形成，并且在多次沉积过程之间进行气体蚀刻，使所述填充层中的空腔顶部位于叠层结构中最上方的层间绝缘层的下方，以进一步减小填充层中空腔的尺寸，降低空腔顶部接缝的高度，提高接缝上方填充层的厚度，从而满足后续的加工要求，提高3D存储器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN111403396A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010395774.4
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN109722651A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910119561.6
申请日：2019-02-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本申请公开了一种薄膜沉积设备及气体供给装置。所述气体供给装置，用于向晶片的表面提供反应气体，包括具有气体通道的本体部；多个喷嘴，位于本体部的侧面，并与气体通道连通，多个喷嘴包括沿本体部长度方向间隔排列的若干行喷嘴；以及安装于本体部之上并遮挡至少一个所述喷嘴的至少一个遮挡部，遮挡部具有沿本体部的宽度方向排列的若干安装位置，遮挡部沿宽度方向位于不同的安装位置时，各行喷嘴具有不同的遮挡量。所述气体供给装置采用遮挡部调节多个喷嘴的遮挡量以改善薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN108470736A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810200352.X
申请日：2018-03-12
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11578
摘要： 本发明提供三维闪存以及该三维闪存沟道孔的非晶硅盖的形成方法。在形成非晶硅盖时包括以下步骤：在沟道孔内形成沟道氧化物；去除顶部的沟道氧化物、电荷阻挡层、以及隧道绝缘层后，在顶部沉积覆盖沟道氧化物、电荷阻挡层、隧道绝缘层、电荷陷阱层以及掩模层顶部的非晶硅作为第二非晶硅层，使得该第二非晶硅层与第一非晶硅层相连；将第二非晶硅层中的电荷陷阱层去除并用非晶硅填充；去除第二非晶硅层，使掩模层露出。
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公开(公告)号：CN113034527B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110340977.8
申请日：2021-03-30
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请实施例公开了一种边界检测方法及相关产品，方法包括：获取目标图像，目标图像包括第一参考边界点；获取沿第一特征线的第一方向分布的N个第三区域中每个第三区域的平均图像强度，得到N个平均强度；根据N个平均强度获取平均强度曲线；根据平均强度曲线中的平均强度最值，从平均强度曲线中获取目标平均强度；根据目标平均强度，从目标图像中获取与第一参考边界点对应的目标边界点。本申请实施例有利于提高边界检测效率和检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN111279481B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080000132.8
申请日：2020-01-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L21/324
摘要： 公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
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公开(公告)号：CN112614852A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011382094.5
申请日：2020-12-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法及存储器沟道结构的制备方法，采用两步法形成沟道结构，首先在第一堆叠结构中形成第一沟道孔，在第一沟道孔中形成存储器层并填充牺牲材料；然后在第一堆叠结构上方形成第二堆叠结构，在第二堆叠结构中形成与第一沟道孔对应的第二沟道孔，在第二沟道孔中形成存储器层，将第二沟道孔底部的存储器层打开，去除第一沟道孔中的牺牲材料，连通第一沟道孔和第二沟道孔。该方法通过两步法形成沟道结构，相当于减小了沟道孔的深宽比，在沟道孔中形成存储器层时，能够提高沟道孔侧壁上各膜层的分布效果，使得存储器层在上下沟道孔中能够实现均匀一致的分布，提高器件的电学性能。同时能够提高量产中机台的利用率。
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公开(公告)号：CN109722651B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910119561.6
申请日：2019-02-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本申请公开了一种薄膜沉积设备及气体供给装置。所述气体供给装置，用于向晶片的表面提供反应气体，包括具有气体通道的本体部；多个喷嘴，位于本体部的侧面，并与气体通道连通，多个喷嘴包括沿本体部长度方向间隔排列的若干行喷嘴；以及安装于本体部之上并遮挡至少一个所述喷嘴的至少一个遮挡部，遮挡部具有沿本体部的宽度方向排列的若干安装位置，遮挡部沿宽度方向位于不同的安装位置时，各行喷嘴具有不同的遮挡量。所述气体供给装置采用遮挡部调节多个喷嘴的遮挡量以改善薄膜厚度的均匀性。
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