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公开(公告)号：CN118057930A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211448971.3
申请日：2022-11-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 一种方法包括：在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体；形成穿过该堆叠体直至暴露出衬底的沟槽，从而露出绝缘层和牺牲层的侧面，沟槽从该堆叠体的核心区域延伸至该堆叠体的阶梯区域；形成用以覆盖露出的侧面的衬层；去除核心区域和阶梯区域的第一区域内的沟槽中的衬层，从而露出该第一区域内的该堆叠体的牺牲层的侧面；去除该第一区域内的牺牲层；去除核心区域和阶梯区域的第二区域内的沟槽中的衬层，从而露出该第二区域内的该堆叠体的牺牲层的侧面；以及去除该第二区域内的牺牲层。
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公开(公告)号：CN113629059A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110559965.4
申请日：2021-05-21
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请公开了一种3D存储器件的制造方法及3D存储器件。该3D存储器件的制造方法包括：形成位于衬底上方的叠层结构；形成贯穿叠层结构的多个沟道柱；以及形成贯穿叠层结构的多个假沟道柱，各个假沟道柱的侧壁为氧化层，其中，采用湿法氧化工艺氧化多晶硅层以形成氧化层。该制造方法有利于降低生产成本，并提高了3D存储器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN111883417B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010733184.8
申请日：2020-07-27
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；在所述沟槽内填充第二半导体层；其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。
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公开(公告)号：CN111485222B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010488521.1
申请日：2020-06-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C23C16/22 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种沉积设备，包括处理腔室；多个气体注入源，设置在所述处理腔室内，且包括用于主反应流程的至少一个第一气体注入源和不用于所述主反应流程的至少一第二气体注入源，所述第一气体注入源设计为沿第一方向向所述处理腔室内注入第一气体；其中以所述第一方向为参考，所述第二气体注入源位于所述第一气体注入源的上游。
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公开(公告)号：CN112071858A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010916254.3
申请日：2020-09-03
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请提供一种三维存储器及其制备方法。包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和形成于所述衬底的表面的叠层结构；在所述叠层结构内形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；在所述沟道孔内依次形成存储器层、种子层和原始沟道层；以及进行退火，以使所述原始沟道层形成沟道层。本申请的技术方案解决了现有技术中为保证沟道孔内最后形成的沟道层的缺陷较少，需要较长时间的退火处理，易导致工艺和物料成本的增加，不适于大规模的量产的问题。
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公开(公告)号：CN111883417A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010733184.8
申请日：2020-07-27
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；在所述沟槽内填充第二半导体层；其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。
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公开(公告)号：CN110211960B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910538368.6
申请日：2019-06-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在堆叠层中形成沟道孔以及在沟道孔的侧壁上形成存储功能层之后，在沟道孔的内壁上形成硅锗层，并进行热氧化工艺，使得部分厚度的硅锗层被氧化，而剩余的硅锗层作为沟道层。这样，在热氧化工艺中，由于锗的氧化速度低于硅的氧化速度，使得锗朝向未被氧化的部分中扩散，从而，提高了沟道层中锗的含量，进而，提高沟道层的迁移率，为器件提供更高的驱动电流，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110034123B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910362607.7
申请日：2019-04-30
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157
摘要： 本发明提供一种形成三维存储器的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔中形成电荷存储层，所述电荷存储层包括阻挡层、电荷捕获层和隧穿层；清除所述电荷存储层表面的有机物杂质；在经过清除之后的所述电荷存储层的表面沉积非晶体沟道层，以及对所述非晶沟道层进行高温退火形成晶体沟道层。
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公开(公告)号：CN110265403B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910537547.8
申请日：2019-06-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11568
摘要： 本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在沟道孔中形成第一多晶硅层之后，形成硅锗层，而后进一步形成第二多晶硅层。这样，就使得硅锗层形成于多晶硅层之间，硅锗层作为沟道可以提高在沟道载流子的迁移率，同时多晶硅层可以有效抑制硅锗层中锗原子的向外扩散，并使得硅锗层与两侧的介质材料具有更好的界面态，为器件提供更高的驱动电流，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112071858B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010916254.3
申请日：2020-09-03
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请提供一种三维存储器及其制备方法。包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和形成于所述衬底的表面的叠层结构；在所述叠层结构内形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；在所述沟道孔内依次形成存储器层、种子层和原始沟道层；以及进行退火，以使所述原始沟道层形成沟道层。本申请的技术方案解决了现有技术中为保证沟道孔内最后形成的沟道层的缺陷较少，需要较长时间的退火处理，易导致工艺和物料成本的增加，不适于大规模的量产的问题。
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