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公开(公告)号：CN113571115A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110737525.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN112997253B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180000489.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一晶体管串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二晶体管串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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公开(公告)号：CN111771282A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202080001175.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 吴真用
IPC: H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了存储器件和形成方法。所述存储器件包括：衬底；衬底上的阶梯结构；在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构；以及金属布线结构，其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向，位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管，以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域，串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。
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公开(公告)号：CN116052743A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310234748.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一存储单元串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二存储单元串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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公开(公告)号：CN112270946A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011176789.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种存储器装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118506834A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410648977.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN111771282B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202080001175.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 吴真用
IPC: H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了存储器件和形成方法。所述存储器件包括：衬底；衬底上的阶梯结构；在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构；以及金属布线结构，其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向，位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管，以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域，串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。
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公开(公告)号：CN113571115B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110737525.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN112270946B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011176789.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种存储器装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。
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公开(公告)号：CN112997253A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202180000489.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一晶体管串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二晶体管串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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