体声波谐振器及滤波器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117526893B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202311543268.5

    申请日:2023-11-17

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/56 H03H9/58

    摘要: 本申请实施例提供一种体声波谐振器及滤波器,体声波谐振器包括:衬底;第一电极,设置于所述衬底的表面上;压电层,设置于所述第一电极背离所述衬底的一侧;第二电极,设置于所述压电层上,所述第一电极、所述第二电极以及所述压电层之间存在相互重叠的重叠区;介质层结构,包括多层介质层,任意相邻两层所述介质层包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的声阻抗大于所述压电层的声阻抗,所述第二介质层的声阻抗小于所述压电层的声阻抗;其中,所述介质层结构设置于所述第二电极所在平面与所述衬底的表面之间,且至少位于所述重叠区外。介质层结构能够反射向下泄漏的部分声波,从而减小声能的泄漏,提高声波谐振器的Q值。

    一种滤波器、多工器和射频前端
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116707486A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202210190315.1

    申请日:2022-02-28

    IPC分类号: H03H9/64 H03H9/72

    摘要: 本发明属于滤波器技术领域,特别是涉及一种滤波器、多工器和射频前端。该滤波器包括并联连接的多个DMS型滤波器,多个所述DMS型滤波器包括第一DMS型滤波器和第二DMS型滤波器;所述第一DMS型滤波器包括相对设置的两个第一反射器以及位于两个所述第一反射器之间的多个第一IDT;所述第二DMS型滤波器包括相对设置的两个第二反射器以及位于两个所述第二反射器之间的多个第二IDT;其中,所述第一DMS型滤波器的结构参数与所述第二DMS型滤波器的结构参数不同。本发明中,该滤波器具有更好地带外抑制效果和更大的宽带。

    体声波滤波器组件、射频前端模块及电子设备

    公开(公告)号:CN116722837B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202310639862.8

    申请日:2023-05-31

    摘要: 本申请提供一种体声波滤波器组件,体声波滤波器组件包括第一滤波器与第二滤波器,第一滤波器和第二滤波器集成在同一衬底上,且共用一压电薄膜。第一滤波器包括多个第一顶电极,第二滤波器包括多个第二顶电极。第一滤波器还包括第一质量层,第一质量层设置于至少一个第一顶电极上,第二滤波器还包括第二质量层,第二质量层设置于第二顶电极上,第二质量层的厚度大于第一质量层的厚度。因此,体声波滤波器组件避免了第一滤波器与第二滤波器之间存在额外的封装保护区域和划片残余,减小了第一滤波器与第二滤波器之间的封装距离,使得体声波滤波器的尺寸较小,满足了小型化的要求。本申请还提供一种射频前端模块以及一种电子设备。

    体声波谐振器及滤波器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117526893A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311543268.5

    申请日:2023-11-17

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/56 H03H9/58

    摘要: 本申请实施例提供一种体声波谐振器及滤波器,体声波谐振器包括:衬底;第一电极,设置于所述衬底的表面上;压电层,设置于所述第一电极背离所述衬底的一侧;第二电极,设置于所述压电层上,所述第一电极、所述第二电极以及所述压电层之间存在相互重叠的重叠区;介质层结构,包括多层介质层,任意相邻两层所述介质层包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的声阻抗大于所述压电层的声阻抗,所述第二介质层的声阻抗小于所述压电层的声阻抗;其中,所述介质层结构设置于所述第二电极所在平面与所述衬底的表面之间,且至少位于所述重叠区外。介质层结构能够反射向下泄漏的部分声波,从而减小声能的泄漏,提高声波谐振器的Q值。

    体声波滤波器组件、射频前端模块及电子设备

    公开(公告)号:CN116722837A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310639862.8

    申请日:2023-05-31

    摘要: 本申请提供一种体声波滤波器组件,体声波滤波器组件包括第一滤波器与第二滤波器,第一滤波器和第二滤波器集成在同一衬底上,且共用一压电薄膜。第一滤波器包括多个第一顶电极,第二滤波器包括多个第二顶电极。第一滤波器还包括第一质量层,第一质量层设置于至少一个第一顶电极上,第二滤波器还包括第二质量层,第二质量层设置于第二顶电极上,第二质量层的厚度大于第一质量层的厚度。因此,体声波滤波器组件避免了第一滤波器与第二滤波器之间存在额外的封装保护区域和划片残余,减小了第一滤波器与第二滤波器之间的封装距离,使得体声波滤波器的尺寸较小,满足了小型化的要求。本申请还提供一种射频前端模块以及一种电子设备。

    体声波谐振器、滤波器及射频前端模组

    公开(公告)号:CN220528015U

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202322143698.X

    申请日:2023-08-09

    摘要: 本申请提供一种体声波谐振器,包括:衬底、下电极、压电层以及上电极,衬底具有第一表面,下电极设于第一表面,且衬底和下电极之间具有声学镜,其中,上电极、下电极、压电层以及声学镜之间相互重叠的区域为有效区域,有效区域包括中间区域、凹陷区域、过渡区域以及凸起区域,凹陷区域与过渡区域之间满足如下关系:0.05≤d1/d2≤0.7,其中,d1为过渡区域的宽度,d2为凹陷区域的宽度。具备一定尺寸关系的过渡区域的体声波谐振器能够减小工艺误差对谐振器各项性能的影响。本申请还提供滤波器及射频前端模组。

    多模声表面滤波器、混合型滤波器、多工器及射频前端

    公开(公告)号:CN216904841U

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202220427830.2

    申请日:2022-02-28

    IPC分类号: H03H9/64 H03H9/145

    摘要: 本实用新型属于滤波器技术领域,特别是涉及一种多模声表面滤波器、混合型滤波器、多工器及射频前端。该多模声表面滤波器,包括两个反射器和位于两个反射器之间的至少3个IDT,每个所述IDT均包括相对设置的两个梳状电极,两个所述梳状电极的电极指相互交叉排布;其中,所述至少3个IDT中,相邻两个IDT之间两个相邻电极指的极性分布至少存在两种类型。本实用新型中的多模声表面滤波器能够实现更陡的边带滚降特性和更小的边带插损以及更大的带宽。

    一种分级接收模组、射频前端及终端

    公开(公告)号:CN217037168U

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202220692817.X

    申请日:2022-03-25

    IPC分类号: H04B1/16 H04B1/00

    摘要: 本实用新型属于滤波器技术领域,特别是涉及一种分级接收模组、射频前端及终端。该分级接收模组包括天线端、至少两个单刀多掷开关以及多个带通滤波器电路,所述单刀多掷开关选择连接所述带通滤波器电路;所述带通滤波器电路包括接口、滤波器以及连接在所述接口和所述滤波器之间的谐振器组件,所述谐振器组件包括级联的至少两个谐振器,所述单刀多掷开关选择连接所述接口。本实用新型中,通过在滤波器前端级联多个谐振器以增大史密斯圆在CA频段时的阻抗值,能够在不影响单开状态下滤波器的传输特性的情况下,减小CA状态下滤波器的插入损耗,从而改善CA状态下的滤波器性能。