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公开(公告)号：CN113096914B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110316847.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 本发明公开了一种在高温下施加磁场的装置和方法，该装置包括线圈(1)和磁芯(2)，其中所述磁芯(2)为采用高温导磁材料制备的带开口磁芯，开口的相对两端为磁极，两磁极之间有容纳高温热源场的空间，该高温热源场的温度为500～1400℃，高温热源场与所述磁极之间设有热障层(3)，将高温热源场与磁极隔开，所述磁极的工作温度为500～1050℃；所述高温导磁材料为多晶钴基合金，其化学成份按重量百分比为CoxFe100‑x‑yMy，式中M为选自碳、硫、钼、锰、镍的掺杂元素，90≤x≤100，y≤0.3。本发明采用多晶钴铁合金作磁芯导磁材料结合热障层的设计，可给超过1000℃热源施加磁场，达到在核工业、深空探测、能源等领域对高温下施加磁场的需求。
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公开(公告)号：CN116479385A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310391653.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，特别涉及一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素为非磁性过渡金属M，为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1。本发明以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术(PLD)，制得具有室温铁磁性的InO基稀磁半导体薄膜。本发明的PLD技术可向InO晶格中掺入高比例的过渡金属离子，并通过控制沉积条件引入大量的晶格缺陷，从而诱导出高于室温的铁磁性薄膜材料，可应用于自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN113096914A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110316847.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 本发明公开了一种在高温下施加磁场的装置和方法，该装置包括线圈(1)和磁芯(2)，其中所述磁芯(2)为采用高温导磁材料制备的带开口磁芯，开口的相对两端为磁极，两磁极之间有容纳高温热源场的空间，该高温热源场的温度为500～1400℃，高温热源场与所述磁极之间设有热障层(3)，将高温热源场与磁极隔开，所述磁极的工作温度为500～1050℃；所述高温导磁材料为多晶钴基合金，其化学成份按重量百分比为CoxFe100‑x‑yMy，式中M为选自碳、硫、钼、锰、镍的掺杂元素，90≤x≤100，y≤0.3。本发明采用多晶钴铁合金作磁芯导磁材料结合热障层的设计，可给超过1000℃热源施加磁场，达到在核工业、深空探测、能源等领域对高温下施加磁场的需求。
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公开(公告)号：CN118639188A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410663884.2
申请日：2024-05-27
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。所述具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜，以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术，制得具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜；半导体薄膜的化学成分符合化学通式Ti1‑xMxO2，M为过渡金属，选自ⅦB和Ⅷ族，其中0＜x≤0.1；并且在控制衬底材料的加热温度、激光的功率和氧分压等参数，提高金属和半导体之间的自旋注入效率，保证所得稀磁半导体薄膜的性能。
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