本发明属于半导体薄膜材料技术领域，特别涉及一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素为非磁性过渡金属M，为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1。本发明以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术(PLD)，制得具有室温铁磁性的InO基稀磁半导体薄膜。本发明的PLD技术可向InO晶格中掺入高比例的过渡金属离子，并通过控制沉积条件引入大量的晶格缺陷，从而诱导出高于室温的铁磁性薄膜材料，可应用于自旋电子器件。