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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118639188A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410663884.2
申请日：2024-05-27
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。所述具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜，以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术，制得具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜；半导体薄膜的化学成分符合化学通式Ti1‑xMxO2，M为过渡金属，选自ⅦB和Ⅷ族，其中0＜x≤0.1；并且在控制衬底材料的加热温度、激光的功率和氧分压等参数，提高金属和半导体之间的自旋注入效率，保证所得稀磁半导体薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN117019674A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311011928.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种残余剩磁检测方法及检测装置，属于自动化检测方法和设备。所述残余剩磁检测方法，包括将检测样品置于输送机构上，通过输送机构将检测样品传送至检测机构；在零磁环境下，检测机构对检测样品进行残余剩磁检测；检测完成后检测样品运动至分拣机构的皮带上；根据检测机构的检测结果，通过分拣机构将检测样品进行分类。本发明所述检测方法能够对生产过程中和/或加工完成后零件进行残余剩磁检测，能够及时进行监控和分选，检测效率较高且准确。
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公开(公告)号：CN116479385A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310391653.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，特别涉及一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素为非磁性过渡金属M，为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1。本发明以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术(PLD)，制得具有室温铁磁性的InO基稀磁半导体薄膜。本发明的PLD技术可向InO晶格中掺入高比例的过渡金属离子，并通过控制沉积条件引入大量的晶格缺陷，从而诱导出高于室温的铁磁性薄膜材料，可应用于自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN219457325U
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202320547932.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本实用新型属于电磁场技术领域，涉及一种产生高精度弱磁场的稀疏线圈结构，包括线圈架(1)和导线(3)，该线圈架具有圆柱形空腔，其中：线圈架(1)的圆柱外表面刻有呈螺旋线排列的楔形沟槽(2)，该楔形沟槽的横截面具有开口部、底部和相对的两个侧面，两个侧面间的夹角α为20～160°，该楔形沟槽用于设置稀疏、均匀间距的导线线圈，导线(3)的圆截面与楔形沟槽的侧面相切。本实用新型将楔形沟槽按照设计要求的匝数、螺距和螺旋线半径，按照特定的深度或宽度刻在线圈架上，再沿沟槽绕上导线，从而限制绕线的轴向滑动，确保电流的空间分布符合设计要求，保证获得高精度的弱磁场。
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公开(公告)号：CN220716795U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202322162341.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种残余剩磁检测装置，属于自动化检测设备，对生产过程中的产品进行残余剩磁检测，能够及时进行监控和分选，检测效率较高且准确。所述检测装置包括设备总成壳体，连接在所述设备总成壳体上的输送机构、检测机构和分拣机构；所述输送机构固接在所述设备总成壳体的侧壁；所述检测机构固接在所述输送机构上，且所述检测机构在所述设备总成壳体的内部，所述检测机构包括磁通门磁强计，磁通门磁强计处于零磁环境中；所述分拣机构位于所述检测机构的下方。在零磁环境内对待测样品进行检测，根据检测机构的检测结果，将待测样品进行分类。
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