公开(公告)号：CN105070664A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510554660.9

申请日：2015-09-04

Applicant: 台州学院 ,  钟文武 ,  詹白勺

Inventor： 钟文武 ,  李志刚 ,  刘彦平 ,  詹白勺

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296

CPC classification number: H01L21/02422 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法，包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤，本发明具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。

公开(公告)号：CN106374094B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201610977487.8

申请日：2016-11-08

Applicant: 钟文武 ,  台州学院 ,  上海电气集团上海电机厂有限公司 ,  詹白勺

Inventor： 钟文武 ,  陈恺 ,  黄小华 ,  刘彦平 ,  李志刚 ,  詹白勺

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明涉及电池材料技术，尤其涉及一种ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料、制备及电池组装方法，该材料包括衬底、设置在衬底上的ZnO层、设置在ZnO层上的Ni层；所述ZnO层为多孔蜂窝状纳米阵列。制备方法包括清洗Ni衬底；制备胶体球模板；沉积ZnO薄膜；去除胶体球模板，得到多孔ZnO阵列薄膜；溅射一层Ni薄膜，制备ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料。电池组装方法，以上述材料为工作负极，以纯锂圆片为对电极，之间采用多孔聚丙烯膜隔开，采用扣式电池封口机，在手套箱内部将电池完全密封后取出。本发明用胶体球模板法制备的蜂窝状多孔ZnO阵列材料具有极大的比表面积，有效增大反应界面，提高材料的利用率并增大反应速度。

公开(公告)号：CN106824214B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710174965.6

申请日：2017-03-22

Applicant: 钟文武 ,  台州学院

Inventor： 钟文武 ,  詹白勺 ,  刘彦平 ,  倪君辉 ,  徐爱娇 ,  郭仁清

IPC: B01J23/847 ,  C02F1/30

Abstract: 本发明涉及光催化技术，尤其涉及FeSe/BiVO4复合光催化剂及制备方法，该催化剂将FeSe纳米棒沉积在BiVO4颗粒表面，该制备方法为：化学沉淀法制备BiVO4颗粒；固相烧结法制备FeSe块状物；超声剥离法制备FeSe纳米棒；BiVO4和FeSe混合后分散在乙醇中；上述溶液蒸发得到FeSe/BiVO4复合光催化剂。本发明将BiVO4与FeSe复合，光生电子将吸附在FeSe表面的O2还原为氧自由基，剩余的空穴将‑OH氧化为羟基自由基。氧自由基和羟基自由基将有机污染物分解为二氧化碳和水。因此，FeSe与BiVO4复合后能够有效提高其光催化性能，且FeSe价格较低，整个制备工艺简单，易推广。

公开(公告)号：CN105070664B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510554660.9

申请日：2015-09-04

Applicant: 台州学院 ,  钟文武 ,  詹白勺

Inventor： 钟文武 ,  李志刚 ,  刘彦平 ,  詹白勺

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法，包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤，本发明具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。

公开(公告)号：CN107756985B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201711259397.6

申请日：2017-12-04

Applicant: 钟文武 ,  台州学院

Inventor： 钟文武 ,  吴建波 ,  刘彦平 ,  詹白勺 ,  徐爱娇

IPC: B32B7/08 ,  B32B7/12 ,  B32B15/14 ,  B32B27/12 ,  B32B27/38 ,  B32B33/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/00 ,  H01C7/18 ,  H01C17/075

Abstract: 本发明公开一种用于印刷电阻的层叠体及其制备方法，该层叠体由金属箔、粘合剂和绝缘基底组成，所述金属箔为铜镍合金箔，所述粘合剂由丁腈橡胶和具有热稳定性的苯酚甲醛构成，所述绝缘基底由纤维增强材料和热固性树脂热压形成，金属箔的与绝缘基底接触的一面沉积有一层FeSe颗粒。本发明还公开了该层叠体的制备方法。

公开(公告)号：CN204857740U

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201520676641.9

申请日：2015-09-04

Applicant: 台州学院 ,  钟文武 ,  詹白勺

Inventor： 钟文武 ,  李志刚 ,  刘彦平 ,  詹白勺

IPC: H01L31/0296 ,  H01L21/368 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种用于光电子器件用的ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜，它包括有从内至外依次结合的玻璃衬底层、ZnO种子层、ZnO纳米棒层、ZnS纳米棒层，ZnO种子层涂覆在以玻璃衬底层为基底的光洁表层上，ZnO纳米棒层有序生长在ZnO种子层上呈纳米棒状结构，ZnS纳米棒层生长在ZnO纳米棒层上形成异质结。本实用新型的ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜，采用水热合成方法在ZnO种子层上生长一层ZnO纳米棒有序阵列薄膜结构，具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。

公开(公告)号：CN115505960A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211264153.8

申请日：2022-10-17

Applicant: 台州学院

Inventor： 钟文武 ,  黄於聪 ,  王毅超 ,  潘印 ,  申士杰

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种交联碳纳米片负载的钴单原子电催化剂的制备方法，所述方法采用氯化钴、植酸与甲壳素作为原料，经过碳化合成钴单原子负载的碳纳米片；在碱性条件下，所述电催化剂的电催化析氢过电位为70mV。

公开(公告)号：CN115432754A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211082465.7

申请日：2022-09-06

Applicant: 台州学院

Inventor： 林志萍 ,  王宗鹏 ,  张欢欢 ,  钟文武 ,  陈基根

IPC: C01G53/11 ,  C25D1/04 ,  C25B11/075

Abstract: 本发明公开了一种含高浓度Ni空位的镍硫化合物的制备方法，包括原料处理、高温固相合成、淬火处理等步骤。本发明还公开一种含高浓度Ni空位的镍硫化合物，其采用如上所述的方法制备而成。

公开(公告)号：CN114808022A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210647527.8

申请日：2022-06-09

Applicant: 台州学院

Inventor： 王宗鹏 ,  林志萍 ,  张欢欢 ,  钟文武

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种变形立方体状Fe2O3/Fe复合物及其制备方法，该方法为：称取原料和水热处理；制备前驱体；活化处理；激光辐照处理。本发明还公开一种变形立方体状Fe2O3/Fe复合物，其采用如上所述的方法制备而成。

公开(公告)号：CN114635160A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210306833.5

申请日：2022-03-27

Applicant: 台州学院

Inventor： 申士杰 ,  张丽丽 ,  钟文武 ,  张欢欢 ,  王德花

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开一种CoSe2/MoSe2异质结的制备方法，所述方法包括采用水热法制备前驱体，可控硒化处理等步骤。制备的一种CoSe2/MoSe2异质结具备优异的电催化析氢性能。