公开(公告)号：CN106847960B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710058637.X

申请日：2017-01-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  鲍孝圆 ,  陈丽 ,  陈婷 ,  王冠宇 ,  袁军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。

公开(公告)号：CN106847960A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710058637.X

申请日：2017-01-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  鲍孝圆 ,  陈丽 ,  陈婷 ,  王冠宇 ,  袁军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/107 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。